SiC-Schottky-Barrieredioden (SBDs)
der SCS-Serie von ROHM stellen eine neue Klasse von Siliziumkarbiddioden dar, die sich durch niedrige Durchlassspannung und kurze Sperrzeit auszeichnen und dadurch die Leistungsumwandlungseffizienz steigern. Im Gegensatz zu Silizium-basierten Dioden mit schneller Sperrzeit, bei denen die Sperrzeit (trr) mit der Temperatur zunimmt, weisen SiC-Bauelemente über einen weiten Temperaturbereich konstante Eigenschaften auf, was zu einer besseren Leistung unter realen Bedingungen führt. Beispielsweise hat die 10-A-SBD eine Durchlassspannung (VF) von 1,5 V bei 25 °C und 1,6 V bei 150 °C. Eine niedrige VF reduziert die Leitungsverluste, während die extrem kurze Sperrzeit (15 ns) schnelles Schalten ermöglicht und die Leitungsverluste minimiert. SiC-Dioden eignen sich ideal für PFC/Netzteile, Wechselrichter für Solaranlagen, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Klimaanlagen und weitere Produkte.
MOSFETs
und zeichnen sich durch hohe Spannungsfestigkeit, niedrigen Einschaltwiderstand und hohe Schaltgeschwindigkeit in einem Gehäuse mit hoher Wärmeableitung aus. Dies trägt zur Miniaturisierung der Bauelemente und zu einem geringeren Stromverbrauch bei und steigert somit die Effizienz. Der niedrige Einschaltwiderstand und die kompakte Chipgröße gewährleisten zudem eine geringe Kapazität und Gate-Belastung. Die Serie wird für zukünftige Gerätegenerationen erweitert und optimiert.
Dadurch eignen sie sich ideal für eine Vielzahl von Anwendungen, wie z. B. PFC-Schaltungen (Leistungsfaktorkorrektur), Wandler und Wechselrichter zur Energiewandlung. MOSFETs sind auch für Leistungswandler geeignet, wie sie beispielsweise in Elektrofahrzeugen, Hochfahrzeugen und Industrieanlagen eingesetzt werden.
