Sie eignen sich für eine Vielzahl anspruchsvoller Stromversorgungsanwendungen, darunter Schaltnetzteile (SMPS) in Servern, Rechenzentren und Kommunikationsgeräten, unterbrechungsfreie Stromversorgungen (USV), Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Leistungsaufbereiter für Photovoltaik-Wechselrichter.

Im Vergleich zu bleibasierten Gehäusen wie TO-247 und TO-247-4L(X) reduzieren diese neuen Bauelemente ihr Volumen um mehr als 80 %. Diese signifikante Miniaturisierung trägt direkt zu einer höheren Leistungsdichte in den Geräten bei. Darüber hinaus ermöglicht die Oberflächenmontagefähigkeit des TOLL-Gehäuses den Einsatz kleinerer parasitärer Impedanzkomponenten, wie Widerstände und Induktivitäten, was wiederum zu geringeren Schaltverlusten führt.

Das TOLL-Gehäuse ist ein 9-poliges 4-Terminal-Gehäuse, das die Verwendung einer Kelvin-Verbindung für den Signalquellenanschluss zur Gate-Ansteuerung ermöglicht. Dieses fortschrittliche Design minimiert den Einfluss der Induktivität im Source-Anschluss innerhalb des Gehäuses und erzielt so ein hohes Schaltverhalten. Beispielsweise weist der TW048U65C im Vergleich zum entsprechenden Toshiba-Produkt im TO-247-Gehäuse ohne Kelvin-Anschluss eine bemerkenswerte Reduzierung der Einschaltverluste (Eon) um ca. 55 % und der Ausschaltverluste (Eoff) um ca. 25 % auf. Diese Verbesserung trägt direkt zur Reduzierung der Leistungsverluste in Geräten bei.

Die SiC-MOSFETs der dritten Generation von Toshiba zeichnen sich durch einen optimierten Driftwiderstand und ein optimiertes Kanalwiderstandsverhältnis aus, was zu einer guten Temperaturabhängigkeit des Drain-Source-Widerstands (RDS(on)) über einen weiten Betriebsbereich führt. Sie weisen zudem ein niedriges Verhältnis von RDS(on) zu Gate-Drain-Last (Qgd) auf, eine wichtige Kenngröße (FOM), was ihre Leistung weiter verbessert. Alle Varianten bieten eine maximale Drain-Source-Spannung (VDSS) von 650 V und einen weiten Gate-Source-Spannungsbereich (VGSS) von -10 V bis 25 V, wodurch die Kompatibilität mit verschiedenen Gate-Steuerschaltungen gewährleistet und das Schaltungsdesign vereinfacht wird. Die Schwellenspannung (Vth) dieser Bauelemente liegt typischerweise zwischen 3,0 V und 5,0 V, was die Schaltungsentwicklung weiter vereinfacht. Darüber hinaus gewährleistet der hohe Drainstrom (ID) einen robusten Betrieb auch unter anspruchsvollen Bedingungen und erhöht somit die Systemzuverlässigkeit.