Das Gerät, das hohe Ströme (10–100 A) mithilfe eines Leistungs-MOSFETs oder IGBTs misst, benötigt üblicherweise einen großen Widerstand, was zu hohen Leistungsverlusten (10–30 W) führt. Durch die Messung der Spannung entlang des internen Rds(on)-Widerstands eines Leistungs-MOSFETs bzw. der VCE(on)-Spannung eines IGBTs während der Einschaltzeit des Schalters kann der IR25750 auf große externe Strommesswiderstände und Kühlkörper verzichten und somit diese zusätzlichen Leistungsverluste vermeiden.
 
Der Gate-Treiber-Eingang des IR25750 liefert die Versorgungsspannung VCC für den IC und synchronisiert die Rds(on)- bzw. VCE(on)-Messschaltung mit den Ein- und Ausschaltzeiten des MOSFETs bzw. IGBTs. Dank der proprietären Hochspannungstechnologie von IR verfügt das Gerät außerdem über eine Sperrfähigkeit von 600 V, die erforderlich ist, um hohe Vds- bzw. Vce-Spannungen während der Ausschaltzeit zu blockieren. Zu den weiteren wichtigen Merkmalen gehören eine geringe Gate-Eingangskapazität, eine interne Filterverzögerung beim Leiten (typischerweise 200 ns) und interne 20,8-V-Sperr-Zenerdioden an den GATE- und CS-Pins.
 
Der neue Strommess-IC ist ein neuartiger Funktionsblock, der den Rds(on) eines Leistungs-MOSFETs oder die VCE(on) eines IGBTs zur Strommessung nutzt und somit externe Strommesswiderstände überflüssig macht. Diese Merkmale ermöglichen eine deutliche Effizienzsteigerung und erhebliche Platzeinsparungen in Hochstromanwendungen wie Schaltnetzteilen, Motorsteuerungen und Industrieanlagen.
 
Der IR25750 bietet ESD-Schutz und eine ausgezeichnete Blockierungsfestigkeit an allen Ein- und Ausgängen für einen robusten monolithischen Schutz, ist für industrielle Umgebungen geeignet und entspricht der Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe 1 (MSL1).

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