ir6990 hres-wDer IRL6283M zeichnet sich durch einen Rds(on)-Wert von nur 500 µΩ (typisch) in einem 30 mm² großen DirectFET® Medium Can-Gehäuse aus, wodurch die Leitungsverluste deutlich reduziert werden. Dies macht ihn ideal für Anwendungen mit aktiven O-Ringen und elektronischen Sicherungen (eFuse). Das neue Bauteil kann mit 3,3 V, 5 V oder 12 V betrieben werden und reduziert die Verluste bei 20 A um 15 % im Vergleich zu den besten PQFN-Bauteilen auf dem Markt im gleichen 30 mm²-Formfaktor. Dadurch können Entwickler die Anzahl der Komponenten in Hochstromanwendungen reduzieren.
 
Wie die gesamte DirectFET®-Familie ermöglicht auch der IRL6283M eine Kühlung von oben zur Verbesserung der elektrischen und thermischen Leistung sowie eine nahtlose Anschlussleitung für erhöhte Zuverlässigkeit. Darüber hinaus erfüllt das DirectFET®-Gehäuse alle RoHS-Anforderungen, und die Verwendung bleifreier Materialien eignet sich hervorragend für Anwendungen mit langer Lebensdauer. Andere Hochleistungsgehäuse auf dem Markt verwenden eine bleihaltige Halbleiterchip-Verbindung, die unter eine RoHS 7(a)-Ausnahmeregelung fällt, die 2016 ausläuft.
 
Die StrongIRFET™-Familie von IR umfasst auch Standard-PQFN-Bauelemente in umweltfreundlichen, bleifreien Gehäusen mit einer RoHS-konformen Stückliste.

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