Die Bausteine nutzen Toshibas proprietäres SOI-Verfahren (TarfSOI™), um eine typische differentielle Bandbreite von -3 dB bei 29 GHz für den TDS5B212MX und 34 GHz für den TDS5C212MX. Diese großen Bandbreiten reduzieren Signalverzerrungen und verbessern die Zuverlässigkeit bei der Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung. Darüber hinaus verfügen beide Produkte über optimierte Pin-Designs zur Verbesserung der Hochfrequenzleistung. Insbesondere der TDS5C212MX minimiert die Signalweglänge, um Reflexionen und Übertragungsverluste zu reduzieren und so die Signalintegrität bei hohen Geschwindigkeiten weiter zu verbessern.
Die Geräte können als 2-Eingang/1-Ausgang-Multiplexer (Muxes) oder 1-Eingang/2-Ausgang-Demultiplexer (De-Muxes) eingesetzt werden und unterstützen Datenraten bis zu 64 GT/s für Hochgeschwindigkeits-Differenzialschnittstellen, darunter PCIe® 6.0, USB4® Version 2.0, CXL™ 3.x, Thunderbolt™ 5 und DisplayPort™ 2.0. Beide Produkte sind zudem abwärtskompatibel zu bestehenden Schnittstellenstandards. Die Geräte ermöglichen die flexible gemeinsame Nutzung einer einzigen Hochgeschwindigkeitsschnittstelle durch mehrere Geräte und die dynamische Umschaltung des Signalpfads je nach Systemanforderungen.
Die im XQFN16-Gehäuse (2,4 mm × 1,6 mm × 0,4 mm) untergebrachten Produkte eignen sich für Designs mit hoher Packungsdichte, wie beispielsweise Smartphones und Wearables. Darüber hinaus arbeiten sie in einem Temperaturbereich von -40 °C bis +125 °C und sind somit ideal für platzsparende industrielle Anwendungen.
