Diese Eigenschaften machen die Bausteine ideal für Motorsteuerungen, Netzteile, Systeme für erneuerbare Energien und andere Hochleistungsanwendungen. Das Sortiment umfasst auch anwendungsspezifische MOSFETs (ASFETs) für Hot-Swap-Funktionen in KI-Servern. Dank der Kühlungsoptionen von oben und unten bieten diese CCPAK-MOSFETs eine hohe Leistungsdichte und zuverlässige Lösungen. Alle Bausteine sind JEDEC-registriert und verfügen über interaktive Datenblätter von Nexperia für eine nahtlose Integration.
Der Referenz-MOSFET PSMN1R0-100ASF hat einen Widerstand von 0,99 mΩ und ist für 100 V ausgelegt. Er kann 460 A treiben und 1,55 kW Verlustleistung abgeben. Das Gehäuse ist ein CCPAK1212 und benötigt nur 12 mm x 12 mm Platz auf der Leiterplatte. Der PSMN1R0-100CSF bietet ähnliche Spezifikationen in einer Version mit Topkühlung.
Das Geheimnis dieser beeindruckenden Leistung liegt in der internen Konstruktion der Bauteile. Das „CC“ in CCPAK1212 steht für Kupferklemme. Das bedeutet, dass der Siliziumchip des Leistungs-MOSFETs zwischen zwei Kupferteilen eingebettet ist: dem Drain-Anschluss auf der einen und dem Source-Anschluss auf der anderen Seite. Durch den vollständigen Verzicht auf Drahtverbindungen bietet diese optimierte Bauweise einen geringen Verbindungswiderstand, reduzierte parasitäre Induktivitäten, hohe Spitzenströme und eine hervorragende thermische Performance.
Die NextPower CCPAK1212 80/100-V-MOSFETs eignen sich ideal für industrielle Hochleistungsanwendungen, bei denen hohe Effizienz und Zuverlässigkeit entscheidend sind, wie z. B. die Steuerung bürstenloser Gleichstrommotoren (BLDC), Schaltnetzteile (SMPS), Batteriemanagementsysteme (BMS) und Speichersysteme für erneuerbare Energien. Die Verfügbarkeit dieser leistungsstarken MOSFETs in einem einzigen Gehäuse reduziert den Bedarf an Parallelschaltung, vereinfacht die Entwicklung und ermöglicht kompaktere und kostengünstigere Lösungen.
Die Ankündigung von Nexperia zum CCPAK1212 umfasst auch mehrere neue anwendungsspezifische MOSFETs (ASFETs), die für den Hot-Swap in immer leistungsfähigeren KI-Servern entwickelt wurden. Diese Bauelemente zeichnen sich durch einen erweiterten sicheren Arbeitsbereich (SOA) aus und bieten so eine überlegene thermische Stabilität bei Übergängen im linearen Betriebsmodus.
Bei all diesen Anwendungen bietet die Möglichkeit der Kühlung von oben und unten den Ingenieuren eine Auswahl an Wärmeabfuhrtechniken, was besonders dann nützlich ist, wenn die Wärmeableitung über die Leiterplatte aufgrund der Empfindlichkeit anderer Bauteile nicht praktikabel ist.
„Obwohl wir marktführende Leistung bieten, wissen wir, dass manche Kunden zögern, ein relativ neues Gehäuse zu entwickeln“, sagte Chris Boyce, General Manager der Produktgruppe von Nexperia. „Aus diesem Grund haben wir das CCPAK1212 bei der JEDEC-Normungsorganisation (Referenz MO-359) registriert. Wir sind ähnlich vorgegangen, als wir vor einigen Jahren das erste LFPAK-MOSFET-Gehäuse auf den Markt brachten. Dadurch sind mittlerweile viele kompatible Bauelemente erhältlich. Innovationen, die Kunden echten Mehrwert bieten, bleiben nie lange allein“, so Boyce abschließend.
Alle neuen CCPAK1212-MOSFETs werden durch eine Reihe fortschrittlicher Design-Tools unterstützt, darunter thermisch kompensierte Simulationsmodelle. Die herkömmlichen PDF-Datenblätter werden durch die benutzerfreundlichen, interaktiven Datenblätter von Nexperia ergänzt. Diese verfügen nun über eine neue Funktion zum Konvertieren von Diagrammen in CSV-Dateien, mit der Ingenieure die Daten zu den wichtigsten Eigenschaften jedes Bauelements herunterladen, analysieren und interpretieren können. Dies optimiert nicht nur den Designprozess, sondern erhöht auch das Vertrauen in die Designentscheidungen.
Nexperia plant, das CCPAK1212-Gehäuse auf Leistungs-MOSFETs über alle Spannungsbereiche hinweg sowie auf sein für die Automobilindustrie qualifiziertes Produktportfolio AEC-Q101 auszuweiten und damit den sich ändernden Anforderungen von Systemen der nächsten Generation mit höchsten Anforderungen an Strom- und Wärmeleistung gerecht zu werden.
