Das erste Hochspannungsprodukt auf dieser neuen Plattform ist der AOS AOTL037V60DE2 600V MOSFET, der entwickelt wurde, um der wachsenden Nachfrage nach hoher Effizienz und hoher Leistungsdichte in einer breiten Palette von Anwendungen gerecht zu werden, darunter Server, Workstations, Telekommunikationsgleichrichter, Solarwechselrichter, Motorsteuerungen und industrielle Stromversorgungssysteme.
Die Herausforderungen bei der Entwicklung von Schaltnetzteilen (SMPS) und Solarwechselrichtern für mittlere bis hohe Leistungen lassen sich in vier Kernanforderungen zusammenfassen: höhere Effizienz, höhere Leistungsdichte, geringere Systemkosten und kompromisslose Robustheit. Um diese Anforderungen zu erfüllen, haben sich Hochspannungs-Superjunction-MOSFETs als bevorzugte Bauelemente für kritische Topologien etabliert, darunter der langsame Zweig von Totem-Pole-Netzteilen (PFCs), Resonanz-LLC-Wandler, Leistungsfaktorkorrekturbündel (PFCBs) und Zyklokonverter.
AOS entwickelte seine fortschrittliche αMOS E2™ Hochspannungs-Superjunction-MOSFET-Plattform mit einer intrinsisch robusten Body-Diode, die auch anspruchsvolle Schaltvorgänge zuverlässig bewältigt. Dazu gehört beispielsweise die Sperrverzögerung der Freikörperdiode, die bei anomalen Ereignissen wie Kurzschlüssen oder Einschaltvorgängen auftreten kann. Der AOTL037V60DE2, erhältlich im TOLL-Gehäuse, weist einen maximalen RDS(ON)-Wert von 37 Milliohm auf. In Evaluierungen des AOS-Anwendungsentwicklungsteams zeigte die Robustheit der Body-Diode dieses αMOS E2™ MOSFETs ihre Fähigkeit, bei einer Sperrschichttemperatur von 150 °C unter bestimmten Vorwärtsstrombedingungen (IF) einem di/dt-Wert von 1300 A/µs standzuhalten. Darüber hinaus bestätigten AOS-Tests, dass der AOTL037V60DE2 im Vergleich zu anderen MOSFETs eine überlegene Avalanche-Unclamped-Inductive-Switching-Fähigkeit (UIS) und eine längere Kurzschlusshaltezeit (SCWT) aufweist. Diese erhöhte Robustheit führt zu einer höheren Systemzuverlässigkeit und gewährleistet eine stabile Leistung auch unter anormalen Betriebsbedingungen.
„Wir haben diese Plattform und den ersten Hochvolt-MOSFET entwickelt, um den Anforderungen herkömmlicher AC/DC-Netzteile sowie DC/DC-Wandler und DC/AC-Wechselrichter gerecht zu werden, bei denen die Erzielung hoher Leistungsdichte und Effizienz weiterhin eine zentrale Herausforderung darstellt. Dank der umfassenden MOSFET-Entwicklungskompetenz von AOS wissen wir, dass die innovativen Eigenschaften der αMOS E2™ Hochvolt-Super-Junction-MOSFET-Plattform und des AOTL037V60DE2 diese Herausforderungen meistern und es Entwicklern von Anwendungen im mittleren bis hohen Leistungsbereich, Solarwechselrichtern und DC/DC-Wandlern ermöglichen, die aktuellen und zukünftigen Anforderungen an Energieeffizienz, Langlebigkeit und Kostenreduzierung effektiv zu erfüllen“, so Simon Yu, Senior Product Line Manager bei AOS.
Wichtigste technische Merkmale:
Optimiert für Soft-Switching-Topologien mit extrem niedrigen Schaltverlusten.
Robuste Body-Diode mit reduziertem Qrr für anspruchsvolle Anwendungen mit hoher Belastung.
Erhöhte Robustheit durch hohe UIS-Werte, Einschaltstromfestigkeit und großzügige SOA-Fähigkeiten.
Entwickelt, um ein Selbsteinschalten zu verhindern und so einen zuverlässigen Betrieb unter dynamischen Bedingungen zu gewährleisten.
Geeignet für Totem Pole PFC-, LLC-, PSFB- und CrCM H-4/Wechselrichterzyklus-Anwendungen.
Verfügbarkeit und Preis:
Der AOTL037V60DE2 (600 V, 37 mΩ TOLL) ist in Serienmengen mit einer Lieferzeit von 16 Wochen verfügbar. Der Stückpreis für Bestellungen von 1.000 Stück beträgt 5,58 US-Dollar.
