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10. Juli 2024

Die kompakte SMD-Induktivität mit magnetischer Abschirmung wird in Hochfrequenz-Schaltwandlern mit den neuen GaN- und SiC-Transistortechnologien eingesetzt.

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2. Juli 2024

ROHM hat VCSELED™ entwickelt, eine neue Infrarotlichtquellentechnologie, die ein VCSEL-Element (Vertical Cavity Surface Emitting Laser) in einem optischen Diffusionsmaterial aus Harz für Laserlicht einkapselt. ROHM entwickelt diese Technologie derzeit für die Kommerzialisierung als Lichtquelle zur Verbesserung von Fahrerüberwachungssystemen (DMS) und Innenraumüberwachungssystemen (IMS) in Fahrzeugen.

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24. Juni 2024

Die Defense Logistics Agency (DLA) steuert die globale Verteidigungslieferkette in den USA und arbeitet mit Zulieferern zusammen, um die hohe Zuverlässigkeit aller in die Endanwendung integrierten Komponenten sicherzustellen. Während des Fertigungsprozesses von Komponenten für militärische Anwendungen werden strenge Tests durchgeführt und die Einhaltung der Standards für die Aufnahme in die Quality Products List (QPL) gewährleistet. Diese Liste garantiert ein bestimmtes Maß an Zuverlässigkeit und optimiert den Lieferprozess.

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16. Mai 2024

Murata präsentiert mit der Einführung seines innovativen L-Kompensationstransformators (LCT) einen bedeutenden Fortschritt im Bereich elektronischer Bauteile. Dieses einzigartige Produkt kann die äquivalente Serieninduktivität (ESL) eines Kondensators neutralisieren und so dessen Rauschunterdrückung optimieren. Dank Muratas Mehrschicht-Keramiktechnologie ermöglicht diese Lösung Ingenieuren, das Systemrauschen zu reduzieren und gleichzeitig Kosten und Bauteilanzahl zu senken.

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11. Dezember 2023

Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat einen neuen Photovoltaik-Optokoppler mit verbesserter Leerlaufspannung auf den Markt gebracht. Das neue Bauteil ist primär für den Einsatz in Halbleiterrelais (SSR) in der Automobilindustrie vorgesehen. Es kann jedoch auch in anderen industriellen Anwendungen, beispielsweise im Bereich erneuerbarer Energien, eingesetzt werden.

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14. Juli 2023

Toshiba Electronics Europe GmbH gibt die Markteinführung von zwölf 650-V-Siliziumkarbid-Schottky-Barrieredioden (SiC-SBDs) auf Basis ihrer neuesten Technologie der dritten Generation bekannt. Die neuen Bauelemente sind für den Einsatz in effizienzkritischen Industrieanwendungen wie Schaltnetzteilen, Ladestationen für Elektrofahrzeuge und Photovoltaik-Wechselrichtern konzipiert.

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12. Juli 2022

ROHM hat die vierte Generation seiner 650-V-Schnellverzögerungsdioden (FRDs), die RFL/RFS-Serie, entwickelt. Diese zeichnet sich durch niedrige Durchlassspannung (VF), kurze Sperrverzögerungszeit (trr) und extrem geringes Rauschen aus. Die neuen Bauelemente eignen sich ideal für Industrie- und Konsumgeräte mit hoher Ausgangsleistung, wie beispielsweise Klimaanlagen und Ladestationen für Elektrofahrzeuge.

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26. April 2022

ROHM hat sein Angebot an PMDE-Gehäusen (2,5 mm × 1,3 mm) um 14 neue Modelle erweitert, die den Anforderungen kleinster Schutz- und Schaltschaltungen gerecht werden (Serien RBxx8, RFN und VS). Dioden werden in einer Vielzahl von Anwendungen und Branchen, darunter Automobilindustrie, Industrie und Unterhaltungselektronik, für Gleichrichtungs-, Schutz- und Schaltschaltungen eingesetzt. Zudem besteht ein zunehmender Bedarf an immer kleineren Gehäusen, um den Platzbedarf zu minimieren.

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17. März 2022

Würth Elektronik hat sein optoelektronisches Produktportfolio um Optokoppler in allen gängigen Gehäusegrößen und Stromübertragungsverhältnissen (CTR) erweitert. Dazu gehört die WL-OCPT-Serie mit Fototransistor-Optokopplern in den Gehäusegrößen DIP-4, SOP-4 und LSOP-4. Die Darlington-Optokoppler der WL-OCDA-Serie sind ebenfalls in den Gehäusegrößen DIP-4 und SOP-4 mit verschiedenen Pin-Konfigurationen erhältlich.

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14. Februar 2022

Nexperia hat eine breite Palette an Niederstrom-Spannungsreglerdioden angekündigt. Die 50µA-Zenerdioden sind in drei verschiedenen SMD-Gehäusevarianten, in einem ultrakleinen DFN-Gehäuse (Discrete Flat No-leads) sowie als AEC-Q101-qualifizierte Bauteile erhältlich und bieten dem Kunden somit maximale Auswahl und Flexibilität.

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10. November 2021

Nexperia hat mit der Einführung von 650-V-, 10-A-SiC-Schottky-Dioden den Einstieg in den Markt für Hochleistungs-Siliziumkarbiddioden (SiC) bekannt gegeben. Dies ist ein strategischer Schritt für Nexperia, bereits ein etablierter Lieferant energieeffizienter Galliumnitrid-Feldeffekttransistoren (GaN-FETs), um sein Angebot an Hochspannungs-Breitband-Halbleiterbauelementen zu erweitern.

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2. November 2021

ROHM hat sein Portfolio an Schottky-Barrieredioden um 24 neue, hocheffiziente Kompaktmodelle (12 der RBR-Serie und 12 der RBQ-Serie) erweitert. Diese insgesamt 178 Bauelemente eignen sich ideal für Schutz- und Gleichrichterschaltungen in Automobil-, Industrie- und Konsumgüteranwendungen.