Dadurch wird die Erzeugung feinster Strukturen und die Steigerung des Produktionsdurchsatzes in der maskenlosen Lithografie für die fortschrittliche Halbleiterverkapselung ermöglicht.
* Stand: 16. Januar 2026, basierend auf internen Nuvoton-Forschungsergebnissen zu Halbleiterlasern mit einer Wellenlänge von 379 nm in TO-9-Gehäusen im Dauerstrichbetrieb (CW) bei einer Gehäusetemperatur (Tc) von 25 °C.
Wichtigste Erfolge
: Erreicht eine optische Leistung der Klasse 1,0 W bei 379 nm und trägt so zu feineren Strukturierungen und höherer Produktivität in der maskenlosen Lithografie für fortschrittliche Halbleitergehäuse bei.
Verbessert die Wärmeableitung von Ultraviolettlasern durch eine proprietäre Gerätestruktur und Verkapselungstechnologie, wodurch die durch Eigenerwärmung und UV-Strahlung verursachte Degradation unterdrückt und die Lebensdauer optischer Geräte verlängert wird.
Erweitert das Angebot an Quecksilberdampflampen-Ersatzlösungen und erhöht die Flexibilität bei der Produktauswahl je nach Anwendung.
Neue Produktmerkmale:
1. Hohe Leistung von 1,0 W bei 379 nm.
Der Fortschritt im Bereich der künstlichen Intelligenz führt zu einer steigenden Nachfrage nach leistungsfähigeren Rechenkapazitäten und damit nach Halbleitern mit höherer Leistung. Da die Miniaturisierung von Transistoren an ihre physikalischen und wirtschaftlichen Grenzen stößt, gewinnt die fortschrittliche Halbleitergehäusetechnologie – die die Integration durch parallel oder vertikal gestapelte Chips ermöglicht – zunehmend an Bedeutung.
In diesem Zusammenhang gewinnt die maskenlose Lithografie, die die direkte Belichtung von Leiterbahnmustern aus Designdaten ohne Fotomasken ermöglicht, an Bedeutung, um Kosten und Lieferzeiten zu reduzieren sowie die Ausrichtung und Korrektur auf komplexen Oberflächen zu erleichtern.
Als zentrale Lichtquelle dieser Technologie benötigen Halbleiterlaser kürzere Wellenlängen nahe der i-Linie (365 nm) und höhere Leistungen. Aufbauend auf über 40 Jahren Erfahrung in der Laserentwicklung und -fertigung hat Nuvoton diesen 1,0-W-Ultraviolettlaser mit 379 nm Wellenlänge entwickelt und kommerzialisiert.
2. Verbesserte Wärmeableitung und längere Lebensdauer:
Ultraviolette Laser erzeugen aufgrund ihrer geringen elektrooptischen Umwandlungseffizienz (WPE) und UV-induzierter Degradation typischerweise viel Wärme. Nuvoton hat diese Herausforderung durch die Kombination einer WPE-verbessernden Gerätestruktur mit einer Verkapselungstechnologie mit hoher Wärmeleitfähigkeit gelöst. Dadurch wird ein stabiler Betrieb bei hoher Leistung und eine längere Lebensdauer des Geräts erreicht.
3. Ersatz für Quecksilberlampen
Dieses neue Produkt ergänzt die Palette der auf Halbleiterlasern basierenden Alternativen zum Ersatz von Quecksilberlampen und bietet den Kunden mehr Freiheit bei der Systemgestaltung entsprechend den Anforderungen an Anwendung, Umgebung und Leistung.
Anwendungen:
Maskenlose Lithografie (LDI),
Harzhärtung,
Markierung,
3D-Druck,
Biomedizin,
Ersatz für Quecksilberdampflampen.
Produktname: KLC330FL01WW.
Wellenlänge: 379 nm
. Optische Leistung: 1,0 W.
Gehäuse: TO-9 CAN.
Serienproduktionsbeginn: März 2026
