Eine der Energieinnovationen von ROHM ist die vierte Generation von SiC-MOSFETs: Diese erzielt bis zu 50 % geringere Schaltverluste und eine 40 % niedrigere Durchlasswiderstandsrate, ohne die Kurzschlussfestigkeit zu beeinträchtigen. Darüber hinaus bietet die neueste Generation einen flexibleren Gate-Spannungsbereich (15–18 V) und unterstützt das Abschalten bei Nullspannung, wodurch der Einsatz einfacher Gate-Ansteuerschaltungen mit einpoliger Stromversorgung ermöglicht wird.
„Die Nachfrage nach SiC wird weiter steigen, und ROHM plant ebenfalls, den Umsatz zu erhöhen. Wir werden die Investitionen und die Produktentwicklung auf Basis unserer als führender SiC-Hersteller entwickelten Technologie weiter beschleunigen. Darüber hinaus wird unser Unternehmen auch zukünftig Lösungen anbieten, die neben SiC-Produkten auch Peripheriekomponenten und Kundensupport umfassen“, so Dr. Kazuhide Ino, CEO der ROHM Co., Ltd.
ROHM hat kürzlich seine Produktionskapazität für SiC-Leistungshalbleiter durch die Fertigstellung eines neuen Gebäudes in seinem Apollo-Werk im japanischen Chikugo erweitert. „Als vertikal integrierter Halbleiterhersteller sind wir weitgehend unabhängig von Zulieferern, was uns eine flexiblere Reaktion auf Marktveränderungen ermöglicht. Der hohe Integrationsgrad unserer Fertigungsanlagen verschafft uns einen Vorteil gegenüber anderen Herstellern, die viele Produktionsschritte auslagern. Darüber hinaus optimieren wir kontinuierlich unsere Lieferketten, einschließlich unseres Produktionssystems, um eine stabile Versorgung unserer Kunden zu gewährleisten“, so Wolfram Harnack, Präsident von ROHM Semiconductor Europe.
Da die Nachfrage nach Siliziumkarbid-Halbleiterwafern voraussichtlich weiter steigen wird, plant ROHM, seine Investitionen und Produktionskapazitäten auszubauen. Auch die Produktionstochter SiCrystal mit Sitz in Nürnberg plant eine deutliche Erweiterung ihrer Kapazitäten und ihrer Belegschaft. „SiCrystals mittelfristiges Ziel ist es, durch die Produktion mehrerer hunderttausend Substrate pro Jahr einen Umsatz im dreistelligen Millionenbereich zu erzielen“, so Dr. Robert Eckstein, CEO von SiCrystal.
Isao Matsumoto, Präsident und CEO der ROHM Co., Ltd., zeigt sich erfreut über die Gesamtleistung der ROHM-Gruppe und blickt optimistisch in die Zukunft: „Wir haben im letzten Geschäftsjahr Rekordumsätze erzielt und erwarten, unsere starke Performance im laufenden Geschäftsjahr fortzusetzen. Daher haben wir unseren mittelfristigen Managementplan vorzeitig nach oben korrigiert. Europa ist für uns ein prioritärer Markt, auf den wir unsere Strategie konzentrieren werden, da dort zahlreiche Unternehmen ansässig sind, die technologische Innovationen im Automobil- und Industrieanlagenbau vorantreiben. ROHM wird seinen Kunden auch weiterhin Lösungen im Bereich der Leistungselektronik und Analogtechnik anbieten – den Spezialgebieten von ROHM“, so Isao Matsumoto, Präsident und CEO der ROHM Co., Ltd.
