Die Übernahme unterstützt die kontinuierliche Weiterentwicklung der firmeneigenen PowiGaN™-Technologie, die in vielen Produktfamilien des Unternehmens zum Einsatz kommt, darunter die integrierten Schaltkreise InnoSwitch™, die Leistungsfaktorkorrektur-ICs HiperPFS™-5 und die kürzlich eingeführte Familie der einstufigen ICs mit mehreren Ausgängen InnoMux™-2. Das Unternehmen präsentierte 2023 Versionen der PowiGaN-Technologie und -Produkte für 900 und 1250 Volt.
Dr. Radu Barsan, Vice President of Technology bei Power Integrations, erklärte: „Power Integrations ist seit der Markteinführung von Produkten mit PowiGaN-Technologie im Jahr 2018 führend in der Entwicklung und Kommerzialisierung von GaN. Wir verfolgen eine ambitionierte Roadmap, die unter anderem die Angleichung der Kosten an Silizium-MOSFETs sowie die Erweiterung der Spannungs- und Leistungskapazitäten von PowiGaN vorsieht.“ Unser Ziel ist die Kommerzialisierung einer kosteneffizienten GaN-Technologie für hohe Ströme und Spannungen. Diese soll Anwendungen mit höherer Leistung unterstützen, die derzeit mit Siliziumkarbid (SiC) realisiert werden – und zwar zu deutlich geringeren Kosten und mit der höheren Leistung, die durch die grundlegenden Materialvorteile von GaN gegenüber SiC ermöglicht wird. Die Expertise des Odyssey-Teams im Bereich vertikaler GaN-Hochstromanwendungen wird diese Bemühungen verstärken und beschleunigen, und wir freuen uns sehr, sie in unserem Team begrüßen zu dürfen.“
Dr. Richard Brown, Mitgründer und CEO von Odyssey, fügte hinzu: „Das Odyssey-Team und ich freuen uns sehr, Power Integrations beizutreten und dessen GaN-Technologie-Roadmap zu beschleunigen. Als erstes Unternehmen, das Hochspannungs-GaN kommerzialisiert hat, ist Power Integrations weiterhin branchenführend in der Weiterentwicklung der Technologie hinsichtlich Kosten, Spannung und Stromstärke sowie in der Entwicklung von Systemprodukten, die die Möglichkeiten von GaN voll ausschöpfen.“