Insbesondere bei Elektrofahrzeugen (EVs) muss der Wechselrichter, der eine grundlegende Rolle im Antriebssystem spielt, effizienter sein, um die Reichweite zu erhöhen und die Größe der Bordbatterie zu reduzieren, was die Erwartungen an SiC-Leistungsbauelemente steigert.
Als weltweit erster Anbieter, der 2010 mit der Serienproduktion von SiC-MOSFETs begann, entwickelt ROHM weiterhin marktführende SiC-Leistungshalbleitertechnologien. Dazu gehören die neuesten SiC-MOSFETs der 4. Generation von ROHM, die eine verbesserte Kurzschlussfestigkeit und den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand bieten. Dies ermöglicht eine größere Reichweite von Elektrofahrzeugen bei gleichzeitig um 6 % reduziertem Stromverbrauch im Vergleich zu IGBTs (basierend auf Berechnungen nach dem internationalen WLTC-Kraftstoffverbrauchstest).
Gleichzeitig verfügt Hitachi Astemo, das seit Jahren fortschrittliche Technologien für Fahrzeugmotoren und Wechselrichter entwickelt, bereits über beachtliche Erfolge auf dem immer beliebter werdenden Markt für Elektrofahrzeuge. Erstmals werden jedoch SiC-Bauelemente für die Hauptwechselrichterschaltung eingesetzt, um die Leistung weiter zu verbessern. Die Lieferung von Wechselrichtern an Automobilhersteller soll 2025 beginnen, zunächst in Japan und anschließend weltweit.
Als führender Anbieter von SiC-Leistungshalbleitern wird ROHM auch in Zukunft sein Angebot weiter ausbauen und Leistungslösungen anbieten, die durch die Kombination von Peripheriegerätetechnologien, wie z. B. integrierten Steuerschaltungen, zur technischen Innovation in Fahrzeugen beitragen und die Leistung maximieren.
