Nachdem ROHM 2022 die Serienproduktion seiner 150-V-GaN-HEMTs mit einer Gate-Durchbruchspannung von 8 V aufgenommen hatte, entwickelte das Unternehmen im März 2023 die Steuerungs-IC-Technologie, um die Leistung von GaN zu optimieren. Nun hat ROHM die marktführenden 650-V-GaN-HEMTs entwickelt, die zu höherer Effizienz und kompakterer Bauweise in einem breiteren Spektrum von Stromversorgungssystemen beitragen.
Die GNP1070TC-Z und GNP1150TCA-Z bieten branchenführende Leistung in Bezug auf RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss, einem Schlüsselfaktor für GaN-HEMTs, was zu einer höheren Effizienz in Stromversorgungssystemen führt. Gleichzeitig erhöht ein integriertes ESD-Schutzelement die elektrostatische Durchschlagsfestigkeit auf bis zu 3,5 kV und steigert so die Anwendungssicherheit. Die hohen Schaltgeschwindigkeiten der GaN-HEMTs tragen außerdem zur weiteren Miniaturisierung peripherer Komponenten bei.
ROHM optimiert kontinuierlich die Leistung seiner Geräte durch die EcoGaN™-Produktreihe von GaN-Bauelementen. Dies trägt zu höheren Energieeinsparungen in Anwendungen und weiterer Miniaturisierung bei. Neben der Entwicklung von ROHM-Produkten fördern wir auch die Zusammenarbeit durch strategische Partnerschaften, um gesellschaftliche Herausforderungen zu lösen, indem wir Anwendungen effizienter und kompakter gestalten.
EcoGaN™
ist die neue Produktreihe von GaN-Bauelementen von ROHM, die durch die Maximierung der Eigenschaften von GaN zu Energieeinsparungen und Miniaturisierung beitragen. Ziel ist es, einen geringeren Energieverbrauch in Anwendungen, kleinere periphere Komponenten und einfachere Designs mit weniger Bauteilen zu erreichen.
Produktpalette
Anwendungsbeispiele
Ideal für eine breite Palette von Stromversorgungssystemen in Industrieanlagen und Konsumgeräten, einschließlich Servern und Netzadaptern.
Ancora Semiconductors Inc.
ist eine Tochtergesellschaft von Delta Electronics, einem weltweit tätigen Anbieter von Lösungen für das Wärme- und Energiemanagement. Ancora wurde im Juli 2022 gegründet und konzentriert sich auf die Entwicklung von GaN-Bauelementen und -Technologien.
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GaN-HEMT-
Terminologie:
GaN (Galliumnitrid) ist ein Verbindungshalbleitermaterial, das in Leistungshalbleitern der nächsten Generation eingesetzt wird. Seine Verwendung nimmt aufgrund seiner im Vergleich zu Silizium überlegenen Eigenschaften, wie beispielsweise seinen exzellenten Hochfrequenzeigenschaften, stetig zu.
HEMT steht für High Electron Mobility Transistor (Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit).
Der Wert RDS(ON) × Ciss / RDS(ON) × Coss
dient als Kennwert zur Bewertung des Schaltverhaltens. Ciss bezeichnet die Gesamtkapazität auf der Eingangsseite und Coss die auf der Ausgangsseite.
Je niedriger dieser Wert, desto höher die Schaltgeschwindigkeit und desto geringer die Schaltverluste.
Elektrostatische Entladung (ESD)
ist eine Überspannung, die entsteht, wenn geladene Objekte, wie der menschliche Körper und elektronische Geräte, in Kontakt kommen. Diese Art von Überspannung kann zu Fehlfunktionen oder zur Zerstörung von Schaltkreisen und Geräten führen.
