Die Kosten von Rechenzentren wurden bereits maßgeblich durch den Stromverbrauch bestimmt. Der gestiegene Verbrauch unterstreicht daher die Bedeutung von Energieeffizienz in diesen Einrichtungen. In „ Powering AI: High-Density Power Distribution in Modern Data Centers“diskutieren führende Experten der KI-Branche Themen wie den Umstieg auf Hochspannungsnetzteile und die Rolle digitaler Stromversorgungstechnologien zur Verbesserung der Energieeffizienz. Die Videos zeigen, wie Flüssigkeitskühlung eine höhere Serverdichte ermöglicht und wie der Einsatz von Galliumnitrid (GaN) und effizienteren Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistoren (MOSFETs) in der Leistungselektronik zur Reduzierung von Gewicht und Größe der Stromversorgungssysteme beiträgt. Das E-Book enthält außerdem eine interaktive Infografik, die den Stromfluss in einem Standard-Rechenzentrum veranschaulicht. Renesas blickt auf eine lange Geschichte im Bereich Energiemanagement zurück und bietet seinen Kunden eine breite Palette an Produkten und Lösungen; viele davon werden in dem Buch vorgestellt. Folgende Renesas-Produkte sind über Mouser erhältlich:
Die REXFET-1 Leistungs-MOSFETs von Renesas zeichnen sich durch ein stiftloses, ultrakompaktes Design aus, das die thermische Leistung, die Handhabung und die Zuverlässigkeit verbessert. Dank des REXFET-1 Wafer-Fertigungsprozesses lässt sich der Durchlasswiderstand der Bauelemente um bis zu 30 % und die Gate-Ladung (Qg) um bis zu 10 % reduzieren, was zu einer höheren Effizienz führt.
Das Smart Power Stage (SPS)-Modul ISL99390FRZ bietet die höchste Genauigkeit auf dem Markt für die Erfassung von Netzstrom, Last und Temperatur. In Kombination mit einem digitalen PWM-Controller von Renesas ermöglicht es ein hochpräzises System-Energiemanagement und ein optimales Einschwingverhalten für lastbasierte Regler. Diese Bausteine vereinfachen die Entwicklung, da herkömmliche DC-Strommessnetze (DCR) und die zugehörigen Komponenten zur Temperaturkompensation entfallen.
Der 12-Phasen-PWM-Controller ISL68239 nutzt das von Renesas entwickelte digitale synthetische Strommodulationsverfahren und erzielt damit eine branchenführende Kombination aus Einschwingverhalten, Einstellbarkeit und Effizienz für alle Lasten. Entwickler können das Gerät einfach mit der intuitiven Software Renesas PowerNavigator™ konfigurieren und überwachen.
Der TP65H015G5WS SuperGaN® FET kombiniert einen fortschrittlichen Hochvolt-GaN-HEMT mit einem Niedervolt-Silizium-MOSFET und bietet so höchste Zuverlässigkeit und Leistung. Das Bauelement nutzt fortschrittliche Epitaxie-Technologien und proprietäre Designs, um den Herstellungsprozess zu vereinfachen und die Effizienz im Vergleich zu Silizium durch Reduzierung der Gate-Ladung, der Ausgangskapazität, der Schaltverluste und der Sperrverzögerungsladung zu verbessern.
