Classée comme mémoire persistante (SCM), avec une capacité de conservation des données similaire à celle de la mémoire flash NAND, la XL-FLASH comble l'écart de performances entre la DRAM et la NAND. Si les solutions de mémoire volatile, telles que la DRAM, offrent les vitesses d'accès requises par les applications exigeantes, ces performances ont un coût élevé. Alors que le coût par bit et l'évolutivité de la DRAM convergent, cette nouvelle couche SCM dans la hiérarchie mémoire résout ce problème grâce à une solution de mémoire flash NAND non volatile, haute densité et économique. En pleine croissance, le marché de la SCM devrait atteindre plus de 3 milliards de dollars d'ici 2022, selon les estimations du cabinet d'analystes IDC [1] .
Se positionnant entre la DRAM et la mémoire flash NAND, la XL-FLASH offre des vitesses plus élevées, une latence plus faible et des capacités de stockage supérieures à un coût inférieur à celui de la DRAM traditionnelle. La XL-FLASH sera initialement implémentée au format SSD, mais pourrait être étendue aux dispositifs connectés au bus DRAM, tels que les futurs modules de mémoire non volatile en ligne double (NVDIMM).
Caractéristiques principales
: Puce de 128 gigabits (Gb) (en boîtier 2, 4 ou 8 puces)
; taille de page de 4 Ko pour des lectures et écritures système plus efficaces
; architecture à 16 plans pour un parallélisme accru
; temps de lecture et de programmation rapides ; la mémoire XL-FLASH offre une latence de lecture inférieure à 5 microsecondes, soit environ 10 fois plus rapide que la mémoire TLC existante [2].
Inventeur de la mémoire flash NAND, premier à annoncer la technologie de mémoire flash 3D et leader des migrations de procédés, Toshiba Memory est idéalement positionné pour proposer des modules de mémoire (SCM) basés sur la technologie SLC, bénéficiant d’une fabrication éprouvée, d’une évolutivité démontrée et d’une fiabilité à toute épreuve.
« La mémoire XL-FLASH est la mémoire flash NAND la plus performante du marché, grâce à notre technologie BiCS FLASH utilisée en mode SLC », a déclaré Axel Stoermann, vice-président de Toshiba Memory Europe GmbH. « En ne stockant qu’un bit par cellule, nous augmentons considérablement les performances. De plus, comme XL-FLASH repose sur des technologies éprouvées que nous produisons déjà en masse, nos clients pourront accélérer leur mise sur le marché en adoptant XL-FLASH comme solution de mémoire. »
Les premiers envois d’échantillons sont prévus pour septembre 2019, et la production en série devrait démarrer en 2020.
Pour plus d'informations ou un devis
[1] IDC, mai 2019 - Prévisions mondiales pour les disques SSD, 2019-2023, document n° US43828819
[2] Comparé à la mémoire NAND TLC de TMC, qui a une latence de lecture d'environ 50 microsecondes.
Mémoire NAND la plus performante disponible, grâce à une conception spécifique de la puce (16 plans) permettant d'obtenir des performances supérieures à celles de la mémoire NAND TLC.
