I dispositivi di potenza in SiC vengono sempre più utilizzati nei caricabatterie di bordo e nei convertitori DC/DC per veicoli. Questi dispositivi offrono diversi vantaggi rispetto ai dispositivi di potenza basati sul silicio, come gli IGBT. Un vantaggio fondamentale è rappresentato dalle perdite significativamente inferiori sia in fase di commutazione che di conduzione, nonché dalla capacità di operare a temperature più elevate.

Dal 2017, ROHM e LEADRIVE collaborano e conducono scambi tecnici approfonditi sulle applicazioni automotive che utilizzano dispositivi di potenza in SiC. La creazione di un laboratorio di ricerca congiunto focalizzato su moduli di potenza e inverter per veicoli, che utilizza MOSFET SiC bare-chip e driver di gate isolati di ROHM, offrirà a entrambe le aziende l'opportunità di accelerare ulteriormente lo sviluppo di soluzioni di potenza innovative.

“L’adozione di moduli di potenza che integrano chip SiC per i veicoli a energia alternativa diventerà una tendenza del settore nei prossimi anni. La commercializzazione di dispositivi maturi dotati di SiC, grazie alla messa in comune di risorse a livello globale e alla conduzione di attività di ricerca e sviluppo, ci conferisce un vantaggio competitivo come casa automobilistica di primo piano”, ha affermato il Dr. Jie Shen, Presidente e CEO di Leadrive Technology (Shanghai) Co., Ltd. “ROHM è un partner solido sin dalla fondazione di LEADRIVE. Questo laboratorio di ricerca congiunto ci permetterà di approfondire la nostra collaborazione”, ha continuato il Dr. Shen.

“In qualità di pioniere e fornitore leader di dispositivi di potenza in SiC, ROHM vanta una comprovata esperienza nella fornitura di soluzioni di potenza di alta qualità che combinano una tecnologia all'avanguardia con circuiti di controllo integrati, e ci impegniamo a promuovere l'utilizzo del SiC per le applicazioni xEV”, aggiunge il Dr. Kazuhide Ino, membro del Consiglio di Amministrazione, Direttore Aziendale, CSO e Direttore Senior della Divisione Dispositivi di Potenza di ROHM Co., Ltd. “Comprendere le esigenze dei clienti e le tendenze di mercato è estremamente importante nello sviluppo della tecnologia dei dispositivi di potenza in SiC. LEADRIVE svolge un ruolo significativo nella ricerca applicata sul SiC come produttore di moduli di potenza e inverter per l'industria automobilistica. Attraverso questo laboratorio di ricerca congiunto, possiamo rafforzare la nostra partnership e contribuire all'innovazione tecnologica delle soluzioni di potenza automotive incentrate sul SiC”, conclude il Dr. Ino.

Sintesi della terminologia:


IGBT (Transistor bipolare a gate isolato)
Un transistor di potenza che combina le caratteristiche di commutazione ad alta velocità di un MOSFET con le basse perdite di conduzione di un transistor bipolare.

Perdite di commutazione e di conduzione:
Le perdite sono inevitabili nei transistor come MOSFET e IGBT a causa della loro particolare struttura. Le perdite di commutazione si verificano quando lo stato di conduzione del dispositivo cambia (durante l'operazione di commutazione). Queste perdite di conduzione sono generate dalla componente di resistenza interna quando la corrente scorre (stato ON) attraverso il dispositivo.

MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor):
la struttura più comunemente utilizzata nei FET. Vengono spesso impiegati come elementi di commutazione.