Rispetto al tradizionale TO-263-3L, l'ingombro è inferiore del 20% e l'altezza del 45%. Questa riduzione dell'ingombro migliora la densità di potenza, rendendolo adatto a terminali di dimensioni molto compatte. L'eccellente resistenza termica contribuisce a una migliore dissipazione del calore, garantendo l'affidabilità a lungo termine dei dispositivi.
In risposta alla crescente domanda di prestazioni da parte dei clienti, JieJie Microelectronics ha lanciato le serie di JSFET® a canale N JMSH1001ATL (VDS_MIN=100V) e JMSH1504ATL (VDS_MIN=150V), che incorporano diritti di proprietà intellettuale indipendenti; entrambe sono progettate con l'avanzato package PowerJE® 10x12. Quando VGS=10V, i valori di RDS(ON)_Typ e FOM del dispositivo sono rispettivamente 1,3 mΩ / 202 (JMSH1001ATL) e 3,3 mΩ / 290 (JMSH1504ATL). In termini di proprietà elettriche, il JMSH1001ATL supera la concorrenza in Cina ed è paragonabile a prodotti simili in Europa, negli Stati Uniti e in Giappone. Inoltre, la caratteristica del modello lineare/area operativa sicura (SOA) consente ai dispositivi di funzionare in modo sicuro e affidabile anche in condizioni di corrente elevata. La resistenza estremamente bassa contribuisce a migliorare l'efficienza operativa, a ridurre i costi di sistema e a prolungare la durata dei dispositivi. Entrambi i prodotti trovano ampia applicazione in utensili elettrici, veicoli elettrici leggeri, inverter per l'accumulo di energia fotovoltaica, comunicazioni 5G e PoE++ e altri terminali.
Nick Zhang, responsabile della business unit automotive di JieJie Microelectronics, ha dichiarato: "Grazie ai chip progettati dal team di ricerca e sviluppo di JieJie Microelectronics, prodotti in stabilimenti certificati IATF 16949 e sottoposti ai test di assemblaggio PowerJE® 10x12 sull'avanzato sistema automotive di JieJie Microelectronics, le proprietà elettriche del JMSH1001ATL sono paragonabili a quelle dei prodotti dei principali produttori internazionali di semiconduttori IDM, contribuendo al progresso della localizzazione di fascia alta di prodotti simili. Con un'eccellente conduttività termica e una bassa induttanza parassita del package, questo dispositivo è progettato per gestire correnti fino a 411 A, risultando ideale per applicazioni con requisiti stringenti in termini di spazio nella distinta base (BOM), prestazioni elettriche e affidabilità a lungo termine del dispositivo."
Entrambi i prodotti sono in produzione di massa. Campioni sono disponibili presso il reparto vendite di JJM, agenti autorizzati o canali di vendita correlati. Informazioni quali specifiche di prodotto e dati di progettazione dei circuiti dei sistemi ausiliari, inclusi POD (Package Schematic Drawing), modelli di simulazione H-Spice e P-Spice, possono essere visualizzate o scaricate direttamente dal sito web ufficiale: POD (Package Schematic Drawing).
