Con i transistor GaNEXUS di onsemi, disponibili presso Mouser, è possibile raggiungere frequenze operative più elevate e una maggiore densità di potenza. Inoltre, il loro utilizzo contribuisce a ridurre il numero di componenti magnetici nelle applicazioni di conversione di potenza in gamme di tensione basse, medie, alte e altissime. Questi transistor HEMT (High Electron Mobility Transistor) in GaN a modo di arricchimento offrono una gamma di tensione da 40 a 650 V, inclusi i transistor GaNEXUS 650 V smart con protezione integrata per una maggiore affidabilità e una semplificazione dell'integrazione di sistema. Le soluzioni GaNEXUS sono progettate per migliorare la conversione e la gestione dell'energia nei moderni sistemi di alimentazione, semplificando progetti complessi, accelerando la qualificazione e lo sviluppo, riducendo i requisiti termici e di raffreddamento e ottimizzando le prestazioni lungo l'intera catena di alimentazione.
Nei sistemi a bassa e media tensione, come server AI, convertitori bus intermedi a 48 V (IBC), unità di backup a batteria (BBU) e controllori motore, l'utilizzo di GaNEXUS contribuisce a ridurre le dimensioni dei componenti magnetici, offre una maggiore densità di potenza, migliora l'efficienza, le prestazioni termiche e la stabilità del controllo, e riduce le perdite di commutazione. Nelle applicazioni ad alta tensione, come moduli di potenza AI, convertitori DC-DC ad alta tensione, correzione del fattore di potenza (PFC) e stadi di potenza LLC, l'utilizzo di GaNEXUS consente una riduzione fino al 60% delle dimensioni dei componenti magnetici negli stadi AC-DC risonanti e ad alta frequenza, aumenta la densità di potenza nelle architetture PFC, LLC e DC-DC ad alta tensione e riduce i costi termici e di esercizio.
