Questa famiglia consente la creazione di convertitori di potenza con un'efficienza di conversione leader del settore e un'elevata densità di potenza. Inoltre, la serie include un diodo a barriera Schottky parallelo opzionale per ridurre ulteriormente le perdite di commutazione in ambienti ad alta temperatura.
Due dei sei dispositivi della famiglia presentano una resistenza RDS(on) di soli 1 mΩ e una densità di potenza di 240 W/in³ nel loro package da 62 x 152 mm.
Il QSiC Dual3 è stato sviluppato per consentire la sostituzione dei moduli IGBT con una riprogettazione minima. Tutti i chip MOSFET sono stati sottoposti a test di burn-in dell'ossido di gate a livello di wafer, superando i 1.450 V. I moduli presentano anche una bassa resistenza termica giunzione-involucro, facilitando una progettazione di sistema semplificata con dissipatori di calore più piccoli e leggeri.
"Le crescenti esigenze di gestione energetica e termica, dettate dall'intelligenza artificiale nei data center, stanno spingendo al limite i sistemi di raffreddamento e alimentazione tradizionali", ha dichiarato il Dr. Timothy Han, presidente di SemiQ. "Grazie a un design flessibile e a una densità di potenza leader del settore, la serie QSiC Dual3 supporta applicazioni di raffreddamento a liquido da 250 kW sia in front-end attivo che in azionamenti per compressori, riducendo dimensioni e peso rispetto alle tradizionali soluzioni IGBT al silicio, pur garantendo la massima efficienza del SiC."
