Con questa iniziativa, lo specialista di semiconduttori di potenza risponde alle crescenti esigenze della mobilità elettrica e delle moderne applicazioni industriali.
Tra gli ultimi sviluppi di StarPower spicca una nuova famiglia di moduli half-bridge stampati a trasferimento, progettati per inverter di trazione in classi di potenza a partire da 250 kW. Questi moduli sono disponibili sia in tecnologia al silicio che al carburo di silicio e utilizzano IGBT a trincea di ultima generazione (Gen3), nonché MOSFET SiC di seconda generazione con perdite di conduzione estremamente basse, raggiungendo valori di RDS(on) fino a 1,3 mΩ a livello di modulo.
I substrati AMB in Si₃N₄ di alta qualità, combinati con un design ottimizzato della base a pin-fin, garantiscono una dissipazione del calore notevolmente migliorata. La gamma comprende varianti da 750 V e 1200 V, con moduli IGBT Gen3 da 750 Arms e 900 Arms, nonché da 450 Arms e 500 Arms. Sono disponibili versioni in SiC con valori RDS(on) di 1,4 mΩ e 1,0 mΩ, nonché di 1,8 mΩ e 1,3 mΩ.
Inoltre, StarPower sta ampliando il suo portafoglio di moduli a ponte trifase incapsulati per inverter di trazione nella gamma di bassa e media potenza. Questi moduli integrano anche la tecnologia IGBT a trincea Gen3 e MOSFET SiC di seconda generazione, offrendo perdite particolarmente basse a partire da 2 mΩ RDS(on).
La combinazione di substrati AMB in Si₃N₄ e una base a pin-fin garantisce un'elevata robustezza termica; è inoltre disponibile, come opzione, un sensore di corrente integrato. I moduli sono disponibili nelle versioni da 750 V e 1200 V, incluse le varianti IGBT Gen3 da 350 Arms, 380 Arms e 300 Arms. Le versioni in SiC offrono valori RDS(on) di 2,3 mΩ e 2,0 mΩ, nonché di 3,0 mΩ e 2,0 mΩ.
Con questi nuovi moduli, StarPower rafforza il suo progresso tecnologico e consolida la sua posizione di partner ad alte prestazioni per l'elettrificazione dei moderni sistemi di azionamento.
Visitate lo stand di StarPower al PCIM (Padiglione 9, Stand 442) di Norimberga, in Germania.
