Il modulo PMI (IEGT con custodia in plastica) MG1500FXF1US71 integra un transistor IEGT (Injection Enhanced Gate Transistor) a canale N e un diodo SiC a recupero rapido (FRD) in un package con una superficie di soli 140 mm x 190 mm.
Il nuovo modulo di Toshiba consentirà di risparmiare energia, spazio e peso, oltre a ridurre il rumore acustico, nei progetti di inverter switching ad alta potenza e di controllo motori. Le applicazioni target includono la trazione ferroviaria, il controllo di motori industriali, i sistemi di energia rinnovabile e la trasmissione e distribuzione di energia elettrica.
L'utilizzo di un diodo a barriera Schottky (SBD) in SiC riduce significativamente la corrente di recupero inversa, con conseguente diminuzione delle perdite di accensione, rispetto alle alternative al silicio. La combinazione del diodo e di un design interno del package ottimizzato per ridurre le induttanze parassite consente al modulo MG1500FXF1US71 di operare con perdite di recupero inverse inferiori fino al 97% rispetto a un modulo che utilizza un diodo al silicio convenzionale.
Il modello MG1500FXF1US71 offre una tensione di isolamento nominale di 6000 VAC (rms al minuto) e può gestire una corrente di spegnimento del collettore di picco di 3000 A. La dissipazione di potenza del collettore (a 25 °C) è di 5000 W. L'intervallo di temperatura di esercizio da -40 °C a 150 °C è compatibile con gli ambienti a temperatura estesa tipici delle applicazioni di destinazione.
Durante lo sviluppo del modulo ibrido da 3300 V e 1500 A, questo è stato integrato nella progettazione di un inverter per la trazione ferroviaria. Grazie all'utilizzo del modulo, le dimensioni complessive del sottoinsieme di controllo del motore (incluso il sistema di raffreddamento) sono state ridotte del 40%. Inoltre, il modulo ha contribuito a ridurre la rumorosità e a migliorare il comfort di marcia.
