I nuovi MOSFET di potenza, caratterizzati da una bassissima resistenza di conduzione (RDS(on)) per ridurre significativamente le perdite di conduzione, sono disponibili in versioni da 20 V e 30 V, sia in configurazione a canale N che a canale P. Progettati con il massimo controllo del gate a partire da 12 Vgs, questi dispositivi sono ideali per circuiti di protezione della batteria con due celle in serie. L'IRL6297SD offre due MOSFET a canale N da 20 V in configurazione common-drain in un package DirectFET® Small Can compatto ed efficiente dal punto di vista termico.
L'ampio portfolio di MOSFET per la gestione della batteria di IR è disponibile in package standard, nonché nel package duale Small Can DirectFET® per progetti compatti. Grazie alla bassa Rds(on) di questa piattaforma, i dispositivi possono essere utilizzati in sostituzione di MOSFET di dimensioni maggiori, consentendo di risparmiare spazio sulla scheda e ridurre i costi di sistema.
Tutti i dispositivi sono conformi a MSL1 e RoHS e sono privi di piombo, bromo e alogeni.
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- Categoria: Circuiti integrati
Dispositivi che incorporano i MOSFET a bassa tensione più avanzati di IR per applicazioni di protezione delle batterie agli ioni di litio
International Rectifier ha annunciato un ampio portafoglio di dispositivi che integrano i MOSFET a bassa tensione più avanzati di IR per applicazioni di protezione delle batterie agli ioni di litio. Tra questi, il MOSFET DirectFET® a doppio canale N IRL6297SD.
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