Con una larghezza e una lunghezza pari a soli tre quarti di quelle del precedente package TO-3P (L), riduce l'ingombro. Ciò offre ai progettisti di prodotto una maggiore flessibilità, pur mantenendo un pacchetto di potenza di 150 W (Pc).
Il transistor 2SA1943N ha un rapporto di tensione collettore-emettitore (VCEO) massimo di -230 V e un rapporto di corrente di collettore continuo (IC) di -15 A, mentre il 2SC5200N ha un VCEO massimo di 230 V e un IC di 15 A.
Il transistor 2SA1943N offre un guadagno di corrente continua minimo, hFE(1) di 80 (VCE = -5V e IC = -1A) e hFE(2) di 35 (VCE = -5V e IC = -7A), mentre il 2SC5200N offre hFE(1) di 80 (VCE = 5V e IC = 1A) e hFE(2) di 35 (VCE = 5V e IC = 7A). Un altro vantaggio è l'elevata linearità sia di hFE che di VBE. Entrambi i dispositivi raggiungono una frequenza di transizione tipica (ft) di 30 MHz.
I nuovi dispositivi sono alloggiati in un nuovo contenitore TO-3P (N) che misura solo 15,9 mm x 40,5 mm x 4,8 mm.
