Il tempo di recupero inverso (Trr) degli HSD è influenzato solo minimamente dalla temperatura, garantendo una commutazione rapida in un ampio intervallo di temperature.
Il TK5P60W5 (con Id = 4,5 A e RDS(on) = 0,99 Ω) è alloggiato nel package più piccolo della serie, un package DPAK (A-252), e raggiunge un tipico tempo di recupero inverso del diodo di 65 ns. La sua capacità di ingresso (Ciss)di 370 pF e un QG di soli 11,5 nC supportano un funzionamento di commutazione efficiente.
Il nuovo TK62N60W5 (RDS(on): 0,045 Ω) è il MOSFET più grande della serie, alloggiato in un package TO-247 a 3 pin, e supporta la massima potenza di uscita di Id = 61,8 A. Raggiunge una tipica Trr del diodo di 17 ns, una Ciss di 6500 pF e una QGof di 205 nC.
I chip DTMOS IV-H sono prodotti utilizzando la tecnologia "Deep Trench" di Toshiba, che offre una minore resistenza di conduzione (R<sub>DS(ON)</sub>) a temperature più elevate rispetto ai MOSFET a supergiunzione convenzionali. Offre inoltre perdite di commutazione in fase di spegnimento ridotte (E<sub>OSS</sub>) rispetto alle precedenti generazioni di tecnologia. La combinazione di incrementi minori di R<sub>DS(ON)</sub> ad alte temperature e la ridotta Trr del diodo offrono una maggiore efficienza e aiutano i progettisti a minimizzare le dimensioni del sistema.
Campioni di entrambi i dispositivi sono attualmente disponibili, con il TK62N60W5 già programmato per entrare in produzione di massa e il TK5P60W5 programmato per entrare in produzione di massa a ottobre 2015.

Maggiori informazioni o un preventivo