I dispositivi IRF6708S2 Small Can e IRF6728M Medium Can consentono una riduzione del 30% del numero di componenti, abbassando significativamente il costo complessivo del sistema. Questi nuovi MOSFET DirectFET sono caratterizzati da bassi valori di carico e resistenza di conduzione (RDS(on)) (1,8 mW a 10 V e 2,8 mW a 4,5 V per l'IRF6728M, e 7,5 mW a 10 V e 12,0 mW a 4,5 V per l'IRF6708S2) per minimizzare le perdite di conduzione e di commutazione. L'IRF6728M incorpora anche un diodo Schottky monoliticamente integrato, che riduce le perdite associate alla conduzione del diodo strutturale e al recupero inverso. Offrendo una soluzione altamente efficiente ed economica per applicazioni di commutazione DC/DC sensibili al costo, con la garanzia delle superiori caratteristiche termiche del DirectFET, il set di circuiti IRF6708S2 e IRF6728M offre un eccellente rapporto qualità-prezzo.
I transistor IRF6708S2 e IRF6728M, conformi alla direttiva RoHS, integrano la più recente generazione di resistenze di induzione al silicio per MOSFET a 30 V. Oltre ai bassi valori di RDS(on) e di carico, i nuovi dispositivi sfruttano la bassa resistenza parassita, l'induttanza e le superiori capacità di raffreddamento del package DirectFET.
