ROHM Semiconductor annuncia una nuova serie di circuiti integrati driver di gate isolati per MOSFET di potenza. Il primo modello di questa serie è il BM61S40RFV, un driver di gate conforme alle specifiche AEC-Q100, che offre un isolamento di 3,75 kV ed è stato progettato specificamente per i MOSFET di potenza SiC di ROHM.Questo dispositivo offre una soluzione ottimizzata per la progettazione di circuiti di alimentazione robusti in applicazioni industriali e automobilistiche.
Il dispositivo di potenza svolge un ruolo cruciale nella progettazione dell'elettronica di potenza nei sistemi di alimentazione industriali e automobilistici. Per soddisfare i requisiti specifici di queste applicazioni, migliorare la flessibilità e l'affidabilità della progettazione e consentire tempi di commercializzazione più rapidi, ROHM utilizza processi di microfabbricazione proprietari per sviluppare un trasformatore senza nucleo integrato, al fine di produrre driver di gate isolati compatti, robusti e affidabili, ottimizzati per la tecnologia SiC.
Il nuovo dispositivo ha una corrente di uscita di 4 A, una funzione di blocco Miller attiva integrata per prevenire effetti parassiti durante l'attivazione e una protezione integrata contro il blocco per sottotensione (UVLO), una caratteristica di sicurezza fondamentale per prevenire potenziali danni all'interruttore automatico di potenza dovuti a sovraccarico termico. L'integrazione di questa funzione nel controller della porta ottimizza il numero di componenti esterni e garantisce la conformità ai requisiti di protezione specifici delle applicazioni industriali e automobilistiche (ad esempio, ASIL B/C/D per il settore automobilistico o SIL2/3/4 per le applicazioni industriali).
I progettisti possono ottimizzare il numero di componenti esterni e lo spazio occupato sul circuito stampato, riducendo così lo sforzo di progettazione. Inoltre, la funzionalità integrata migliora le prestazioni dello stadio di pilotaggio e l'affidabilità del sistema, con migliori livelli di EMI e ridotti effetti di accoppiamento. La compatibilità dei pin con i modelli BM60015FV-LB e BM60016FV-C offre flessibilità di progettazione e consente di realizzare soluzioni sostenibili e a prova di futuro.
Per completare la progettazione dello stadio di pilotaggio del gate, il BD7F100HFN è un circuito integrato ideale per implementare un convertitore DC/DC flyback compatto e collaudato, destinato ad alimentare la sezione di pilotaggio isolata. ROHM offre una piccola scheda di valutazione testata che combina un BD7F100HFN e il nuovo circuito integrato di pilotaggio del gate BM61S40RFV.
Specifiche
Tensione di isolamento: 3750 Vrms
Tensione VCC1: 4,5~5,5 V
Tensione VCC2: 16~24 V
Tensione UVLO2: 14,5 V (tip.)
Temperatura di esercizio: -40~125 °C
Tempo di ritardo I/O (max.): 60 ns
Regolazione del ritardo: 20 ns
Corrente di uscita: 4 A
Contenitore: SSOP-B10W (3,50 mm x 10,20 mm x 1,9 mm)
