ROHM Semiconductor ha annunciato la sua tecnologia IGBT di terza generazione da 650 V. Grazie al design avanzato e alle caratteristiche vantaggiose, rappresenta la soluzione ideale per una commutazione fluida ed estremamente efficiente in applicazioni industriali e per elettrodomestici.I semiconduttori di potenza, inclusi gli IGBT, stanno guadagnando terreno grazie alla loro implementazione in numerose applicazioni ad alta tensione. Ci si aspetta che questi componenti raggiungano elevati livelli di efficienza e affidabilità, mantenendo al contempo basse perdite. Ampliando la sua gamma esistente di IGBT ad alta corrente e IGBT con tensione di saturazione inferiore e commutazione più rapida, ROHM introduce ora la sua terza generazione di IGBT ad alta efficienza. I nuovi dispositivi utilizzano una struttura wafer più sottile, tecnologie di attenuazione del campo e una struttura a gate a trincea proprietaria, per offrire prestazioni avanzate e soddisfare la crescente domanda di commutazione ad alta frequenza.
I nuovi IGBT da 650 V di terza generazione di ROHM, basati su una struttura di attenuazione del campo avanzata, offrono un gradiente di concentrazione dei portatori inferiore nella regione di deriva, migliorando la distribuzione dei portatori. Ciò consente una riduzione della tensione di saturazione e un aumento della velocità di commutazione, raggiungendo un eccellente compromesso tra tensione di saturazione e perdite di interruzione, a differenza delle soluzioni convenzionali.
ROHM ha inoltre implementato una sofisticata struttura a gate a trincea che riduce il carico e la capacità del gate. Il drogaggio e la struttura delle celle ottimizzati, insieme a un wafer più sottile del 15% rispetto alla seconda generazione, riducono significativamente le perdite complessive del dispositivo. Una minore concentrazione di portatori durante la fase di conduzione si traduce in perdite di cutoff ridotte. Inoltre, i nuovi dispositivi offrono una commutazione fluida, anche con una bassa resistenza di gate esterna. I risultati delle misurazioni indicano bassi livelli di rumore, anche a velocità di commutazione più elevate. La miniaturizzazione e le caratteristiche migliorate riducono la tensione di saturazione del 6% e le perdite di commutazione di cutoff del 20% rispetto alla seconda generazione, migliorando così le prestazioni complessive del sistema.
La gamma di IGBT da 650 V di terza generazione, comprendente modelli da 30/50/80 A nella serie RGTV e modelli da 30/40/50 A nella serie RGW, è disponibile in due diversi contenitori (TO-247N e TO-3PFM) e in due serie ottimizzate. La serie RGTV è progettata per applicazioni che richiedono una protezione avanzata contro i cortocircuiti, mentre la serie RGW è specificamente adatta ai convertitori, offrendo un basso carico di gate e una bassa capacità, nonché perdite di commutazione estremamente ridotte. Entrambe le serie incorporano inoltre un diodo di recupero molto veloce e stabile per un'efficienza ottimale.
