La serie RGWxx65C utilizza diodi a barriera Schottky SiC a bassa perdita di ROHM nel blocco di feedback dell'IGBT come diodo a funzionamento libero con energia di recupero praticamente nulla, con conseguente minima perdita di commutazione del diodo. Inoltre, poiché la corrente di recupero non deve essere gestita dall'IGBT in modalità di accensione, la perdita di accensione dell'IGBT è significativamente ridotta. Questi effetti combinati si traducono in perdite fino al 67% inferiori rispetto agli IGBT convenzionali e al 24% inferiori rispetto ai MOSFET superconnessi (SJ MOSFET) quando utilizzati nei caricabatterie per veicoli. Ciò offre un eccellente rapporto costo-prestazioni, contribuendo al contempo a un minore consumo energetico nelle applicazioni industriali e automobilistiche.
Negli ultimi anni, gli sforzi globali per ridurre l'impatto ambientale e raggiungere una società a impatto zero e decarbonizzata hanno determinato una crescita spettacolare dei veicoli elettrici (xEV). Parallelamente, è in corso la diversificazione dei semiconduttori di potenza utilizzati nei vari circuiti degli inverter e dei convertitori dei veicoli, necessaria per configurare sistemi più efficienti. Questa diversificazione è accompagnata da innovazioni tecnologiche sia nei dispositivi di potenza SiC a bassissima perdita (ad esempio, MOSFET SiC e SBD SiC) sia nei dispositivi di potenza al silicio convenzionali (ad esempio, IGBT e MOSFET superconnessi).
Al fine di offrire soluzioni di alimentazione efficaci per un'ampia gamma di applicazioni, ROHM si concentra non solo sullo sviluppo di prodotti e tecnologie per dispositivi di potenza SiC leader del settore, ma anche su prodotti in silicio e circuiti di controllo integrati.
Disponibilità: marzo 2021 (campioni), dicembre 2021 (produzione di massa)
Esempidi applicazione
Caricabatterie per auto (caricabatterie di bordo)
Convertitori CC/CC per veicoli
Inverter per energia solare (condizionatori di potenza)
Sistemi di alimentazione ininterrotta (UPS)
Gamma di prodotti IGBT ibridi [Serie RGWxx65C]
Oltre a questi innovativi IGBT ibridi, offriamo prodotti che utilizzano FRD al silicio come diodi a flusso libero, nonché prodotti senza diodo a flusso libero.
Materiali di supporto alla progettazione
Sul sito web di ROHM troverete anche un'ampia gamma di dati di progettazione, inclusi modelli di simulazione (SPICE) e note applicative sulla progettazione di circuiti di azionamento, necessari per l'integrazione e la valutazione che facilitano una rapida immissione sul mercato.
