I MOSFET AUIRGP66524D0 e AUIRGF66524D0 da 24 A, che sfruttano la piattaforma COOLiRIGBT™ di IR e sono forniti con un diodo di recupero morbido, presentano una bassa VCE(ON) per ridurre la dissipazione di potenza e una temperatura di giunzione massima di 175 °C per una densità di potenza estremamente elevata.
 Forniti con terminali TO-247 di lunghezza standard e TO-247 con terminali lunghi, i nuovi dispositivi offrono anche un tempo di risposta al cortocircuito di 6 µs a 150 °C. Un'area operativa sicura in polarizzazione inversa quadrata (SRBSOA) garantisce una maggiore robustezza. I dispositivi sono progettati con un coefficiente di temperatura VCE(ON) positivo per facilitare il parallelismo in applicazioni ad alta potenza.
 
I MOSFET automotive di IR sono sottoposti a test di mediazione dinamica e statica dei dispositivi, nonché a un'ispezione visiva automatizzata al 100% dei wafer, nell'ambito dell'iniziativa Automotive Quality di IR, che mira a zero difetti. Tutti i nuovi dispositivi sono ecocompatibili e assemblati utilizzando la distinta base per componenti automobilistici di IR, priva di piombo e conforme alla direttiva RoHS.

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