Con una tensione nominale di 1200 V e una resistenza massima di conduzione di 340 mΩ (valore tipico RDSon di 270 mΩ), questi JFET presentano un coefficiente di temperatura positivo per una commutazione parallela estremamente rapida senza corrente di coda a 150 °C. Le principali applicazioni includono microinverter fotovoltaici, sistemi SMPS e UPS, unità di controllo motori e riscaldamento a induzione.
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- Categoria: Circuiti integrati
JFET in SiC con perdite di commutazione minime
SemiSouth Laboratories, Inc., azienda leader nella produzione di transistor al carburo di silicio (SiC) per applicazioni di potenza, alta efficienza, gestione dell'energia in ambienti difficili e conversione, ha lanciato l'SJDP120R340, un JFET a trincea in SiC che, rispetto ai MOSFET al silicio, consente velocità di commutazione più elevate e perdite sostanzialmente inferiori.
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