Grazie ai diodi a barriera Schottky in SiC (SBD) e ai transistor IGBT al silicio, i pannelli raggiungono un'elevata efficienza, dimensioni ridotte e inverter più leggeri. I moduli sono progettati per frequenze di commutazione tipiche superiori a 20 kHz.
I nuovi moduli di potenza ibridi in SiC sono incapsulati in configurazioni 2-in-1 da 1200 V e correnti di 100 A (CMH100DY-24NFH), 150 A (CMH150DY-24NFH), 200 A (CMH200DU-24NFH), 300 A (CMH300DU-24NFH), 400 A (CMH400DU-24NFH) o 600 A (CMH600DU-24NFH). Tutti i moduli sono compatibili con i moduli di potenza convenzionali in silicio puro di Mitsubishi Electric. I moduli da 100 A e 150 A, integrati in un package con un ingombro di 48 mm x 94 mm, offrono un'induttanza interna ridotta, inferiore di circa il 30% rispetto ai moduli convenzionali. I moduli da 200 A e 300 A misurano 62 mm x 108 mm, mentre i moduli da 400 A e 600 A richiedono solo 80 mm x 110 mm di spazio sulla scheda madre. Le applicazioni tipiche includono gruppi di continuità (UPS) e alimentatori per dispositivi medicali.
su Mitsubishi Electric:
Con oltre 90 anni di esperienza nella fornitura di prodotti affidabili e di alta qualità a clienti aziendali e privati in tutto il mondo, Mitsubishi Electric Corporation è un leader globale riconosciuto nella produzione, commercializzazione e vendita di apparecchiature elettriche ed elettroniche utilizzate nell'elaborazione di informazioni e comunicazioni, nello sviluppo di comunicazioni spaziali e satellitari, nell'elettronica di consumo, nella tecnologia industriale, nell'energia, nei mezzi di trasporto e nell'edilizia.
Con circa 121.000 dipendenti, l'azienda ha registrato un fatturato consolidato di gruppo di 29,5 milioni di euro* per l'esercizio chiuso al 31 marzo 2013.
