La serie SCT3xxx xR utilizza un package a 4 pin (TO-247-4L) che massimizza le prestazioni di commutazione, riducendo le perdite di commutazione fino al 35% rispetto ai package convenzionali a 3 pin (TO-247N). Ciò contribuisce a un minore consumo energetico in un'ampia gamma di applicazioni.
Negli ultimi anni, la crescente necessità di servizi cloud, dovuta alla proliferazione dell'IA e dell'IoT, ha determinato un'impennata della domanda di data center in tutto il mondo. Tuttavia, per i server utilizzati in questi data center, una delle principali sfide è come ridurre il consumo energetico aumentando al contempo capacità e prestazioni. Allo stesso tempo, i dispositivi SiC stanno guadagnando terreno grazie alle loro minori perdite rispetto ai dispositivi al silicio convenzionali nei circuiti di conversione di potenza dei server. Inoltre, poiché il package TO-247-4L riduce le perdite di commutazione rispetto ai package convenzionali, si prevede che verrà ampiamente adottato in applicazioni ad alte prestazioni come server, stazioni base e sistemi di generazione di energia solare.
Nel 2015, ROHM è diventata il primo fornitore a produrre in serie con successo MOSFET SiC a gate trincerato e continua a essere leader del settore nello sviluppo di prodotti. Oltre a questi nuovi MOSFET SiC ad alta efficienza da 650 V/1200 V, ci impegniamo a sviluppare dispositivi innovativi e a fornire soluzioni che contribuiscano a ridurre il consumo energetico in un'ampia gamma di dispositivi, inclusi circuiti integrati driver di gate ottimizzati per unità SiC.
ROHM propone inoltre soluzioni che facilitano la valutazione delle applicazioni, tra cui una scheda di valutazione per MOSFET SiC, P02SCT3040KR-EVK-001, dotata di circuiti integrati per il driver del gate (BM6101FV-C), circuiti integrati di alimentazione e componenti discreti ottimizzati per l'unità dispositivo SiC.
Caratteristiche principali:
Il package a 4 pin (TO-247-4L) riduce le perdite di commutazione fino al 35%.
Con i package convenzionali a 3 pin (TO-247N), la tensione di gate effettiva sul chip si riduce a causa della caduta di tensione attraverso l'induttanza parassita del terminale di source. Ciò riduce la velocità di commutazione. L'adozione del package TO-247-4L a 4 pin separa i pin di driver e di alimentazione, minimizzando gli effetti della componente di induttanza parassita. Ciò consente di massimizzare la velocità di commutazione dei MOSFET SiC, riducendo le perdite di commutazione totali (accensione e spegnimento) fino al 35% rispetto al package convenzionale.
La
serie SCT3xxx xR è composta da MOSFET SiC che utilizzano un design a gate a trincea. Sono disponibili sei modelli, con una tensione di rottura di 650 V (3 prodotti) o 1200 V (3 prodotti).
(vedi tabella)
Applicazioni:
sistemi UPS, inverter per impianti solari, sistemi di accumulo energetico, stazioni di ricarica per veicoli elettrici, alimentazione elettrica per server farm e stazioni base e altro ancora.
La scheda di valutazione
(P02SCT3040KR-EVK-001) è dotata dei nostri circuiti integrati driver di gate (BM6101FV-C) ottimizzati per il controllo di dispositivi SiC, insieme a diversi circuiti integrati di alimentazione e altri componenti discreti che facilitano la valutazione e lo sviluppo delle applicazioni. La compatibilità con i package TO-247-4L e TO-247N consente la valutazione di entrambi i package nelle stesse condizioni. La scheda può essere utilizzata per test a doppio impulso, nonché per la valutazione dei componenti in circuiti boost, inverter a 2 livelli e circuiti buck a raddrizzatore sincrono.
