Questi MOSFET, alloggiati in contenitori compatti SOT-1118 (UDFN6), presentano un'eccellente dissipazione del calore e una bassa resistenza di drain-on [RDS(ON) = 25 mΩ (tip.) @ N-ch, VGS = 4,5 V]. Queste caratteristiche li rendono adatti all'uso come interruttori di gestione dell'alimentazione e convertitori DC-DC in vari dispositivi mobili, come smartphone e tablet. Gli SSM6L61NU e SSM6N61NU possono essere utilizzati anche in applicazioni di gestione della batteria e per la commutazione del carico in applicazioni con interfacce USB Type-C.
Con una resistenza ON N-CH leader del settore di 25 mΩ[1], i nuovi MOSFET contribuiscono a ridurre le perdite di potenza negli alimentatori e ad estendere il tempo di funzionamento dei dispositivi alimentati a batteria. L'SSM6L61NU è un dispositivo complementare, mentre l'SSM6N61NU è un dispositivo duale N-ch. Nelle applicazioni USB Type-C, gli SSM6L61NU e SSM6N61NU possono essere posizionati tra la Vout (tensione di uscita) del circuito integrato di gestione dell'alimentazione e il SoC, oppure in altri punti del circuito.
Il design a singolo package, di soli 2 mm x 2 mm, migliora il rapporto di dissipazione di potenza (PD = 1 W) e riduce del 50% l'ingombro dei MOSFET rispetto a quelli alloggiati in un package PS-8.
[1] Rispetto a un N-ch di un prodotto incapsulato UDFN6, secondo un sondaggio condotto da Toshiba (a novembre 2015).
