Il nuovo prodotto, "TK55S10N1", raggiunge una bassa resistenza di accensione combinando un chip della serie "U-MOS VIII-H", realizzato con il più recente processo MOS a trincea di ottava generazione, con un package "DPAK+" che utilizza connettori in rame. Il prodotto è particolarmente adatto per applicazioni automotive, soprattutto quelle che richiedono commutazioni ad alta velocità, come i regolatori di commutazione. I campioni sono già disponibili e la produzione di massa inizierà ad aprile 2013.
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- Categoria: Circuiti integrati
MOSFET di potenza a canale N da 100 V a bassa resistenza di conduzione per applicazioni automobilistiche.
Toshiba Corporation ha lanciato il MOSFET a bassa resistenza di conduzione e bassa perdita di potenza da 100 V, che utilizza il più recente processo MOS, come ultima aggiunta alla sua gamma di applicazioni automotive.
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