Troveranno inoltre applicazione nel settore delle energie rinnovabili, come negli inverter fotovoltaici (FV) e nei convertitori DC-DC bidirezionali, come quelli utilizzati per la ricarica dei veicoli elettrici (EV).

I nuovi TW015N65C, TW027N65C, TW048N65C, TW083N65C e TW107N65C si basano sull'avanzato processo SiC di terza generazione di Toshiba, che ottimizza le
strutture cellulari utilizzate nei dispositivi di seconda generazione.

Grazie a questo progresso, il FoM, calcolato come prodotto della resistenza drain-source (RDS(on)) e del carico drain-gate (Qg) per rappresentare le perdite statiche e dinamiche, è migliorato di circa l'80%.

Come i dispositivi precedenti, i nuovi MOSFET di terza generazione includono una barriera Schottky in SiC integrata con una bassa tensione diretta (VF) di -1,35 V (tipica) per sopprimere il jitter RDS(on), migliorando così l'affidabilità.

I nuovi dispositivi sono in grado di gestire correnti (ID) fino a 100 A e presentano valori RDS(on) fino a 15 mΩ. Tutti i dispositivi sono alloggiati in un contenitore TO-247 standard del settore.