I MOSFET NextPower 100V sono componenti di nuova generazione di Nexperia, consigliati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza e affidabilità. Con una resistenza R<sub>DS(on) </sub> inferiore del 50% e un'elevata potenza di valanga, sono ideali per alimentatori, telecomunicazioni e progetti industriali, e sono particolarmente adatti per caricabatterie e adattatori USB Type-C, nonché per adattatori DC-DC a 48V. Questi dispositivi presentano basse perdite di diodo con un Q<sub>RR </sub> basso, pari a soli 50 nanocoulomb (nC), con conseguente riduzione della corrente di recupero inversa (I<sub>RR</sub>), delle tensioni di picco (V<sub>peak</sub>) e delle oscillazioni, consentendo un'ulteriore ottimizzazione del tempo morto.
Mike Becker, Product Manager per i MOSFET di potenza, ha commentato: "Il Qrr è un parametro spesso trascurato, sebbene possa avere un impatto significativo su molti aspetti della progettazione. Un volume di picco ridotto significa minori interferenze elettromagnetiche (EMI), mentre un tempo morto ottimizzato aumenta ulteriormente l'efficienza, che è il nostro obiettivo in Nexperia. Abbiamo dimostrato che un basso Qrr è vantaggioso per entrambe le funzioni.".
I nuovi MOSFET NextPower 100V sono disponibili in tre package: TO220 e I2PAK a foro passante, e il rinomato package LFPAK56 (SMT). Tutte le varianti di package hanno unaTj) massima di 175 °C e sono pienamente conformi ai requisiti di intervallo di temperatura esteso dello standard IPC9592, il che rende i MOSFET NextPower 100V particolarmente adatti per applicazioni di telecomunicazioni e IT.
