Sostituzione dei tradizionali interruttori FET in serie con un singolo dispositivo a bassa perdita, a commutazione rapida e di facile controllo.
Topologia a stadio singolo: maggiore efficienza e meno componenti.
Gli attuali progetti di conversione di potenza utilizzano interruttori unidirezionali al silicio o al carburo di silicio (SiC), che bloccano la corrente in una sola direzione quando sono spenti. Ciò rende necessario suddividere la conversione in più stadi con più circuiti di commutazione.
Ad esempio, un tipico microinverter solare impiega un ponte completo di quattro interruttori per convertire da CC a CC, seguito da un secondo stadio per generare l'uscita CA. Anche nei moderni progetti a stadio singolo, gli interruttori sono necessari in una configurazione back-to-back, quadruplicando il numero di dispositivi e riducendo l'efficienza.
La tecnologia GaN bidirezionale cambia questo paradigma. Integrando la commutazione bidirezionale in un singolo dispositivo, la conversione può essere eseguita in un unico stadio con un numero inferiore di interruttori. In un tipico microinverter solare, sono sufficienti solo due dispositivi SuperGaN® bidirezionali Renesas, eliminando i condensatori intermedi e dimezzando il numero di interruttori.
Inoltre, il GaN consente una commutazione rapida e una bassa carica immagazzinata, permettendo frequenze più elevate e una maggiore densità di potenza. Nelle applicazioni reali, questa architettura ha dimostrato efficienze superiori al 97,5%.
Prestazioni elevate e compatibilità con i driver al silicio.
I dispositivi SuperGaN da 650 V di Renesas si basano su una tecnologia proprietaria, robusta e di facile controllo, normalmente spenta. Il TP65B110HRU combina un chip GaN bidirezionale ad alta tensione con due MOSFET al silicio a bassa tensione, offrendo:
Alta tensione di soglia (3 V)
Ampio margine di gate (±20 V)
Diodi interni per un'efficiente conduzione inversa.
A differenza di altre soluzioni GaN (modalità di arricchimento), questo dispositivo è compatibile con i driver standard senza richiedere polarizzazione negativa, semplificando la progettazione e riducendo i costi.
Offre inoltre un'elevata immunità dv/dt (>100 V/ns), una commutazione rapida e stabile e prestazioni eccellenti sia in commutazione soft che hard. Ciò lo rende ideale per topologie complesse come i raddrizzatori di tipo Vienna.
Secondo Rohan Samsi, vicepresidente della divisione GaN di Renesas, questa innovazione consente ai clienti di ottenere una maggiore efficienza, ridurre il numero di componenti, minimizzare le dimensioni dei PCB e diminuire i costi di sistema.
Caratteristiche principali del TP65B110HRU:
tensione nominale continua di ±650 V (CA e CC),
transitoria di ±800 V
, protezione ESD di 2 kV,
110 mΩ tipica (RSS, ON),
soglia di gate di 3 V,
nessuna tensione negativa richiesta,
Vgs massima di ±20 V,
dv/dt di 100 V/ns
, bassa caduta di tensione a funzionamento libero (1,8 V),
contenitore TOLT con dissipazione del calore superiore
Disponibilità:
Il TP65B110HRU è ora disponibile per la produzione. I clienti possono anche acquistare il kit di valutazione RTDACHB0000RS-MS-1 per effettuare test con diverse configurazioni di controllo e soft-switching (ZVS).
