Wichtige Anwendungsbereiche sind Rechenzentren, Kommunikationsbasisstationen und andere High-End-Industrieanlagen.
Dank des fortschrittlichen 100-V-U-MOS11-H-Prozesses bietet der TPH2R70AR5 deutliche Leistungsvorteile gegenüber Bauelementen, die mit dem bestehenden U-MOSX-H-Prozess gefertigt werden. Beispielsweise wurde im Vergleich zum Vorgängermodell TPH3R10AQM der Drain-Source-Widerstand (RDS(ON)) um ca. 8 % auf maximal 2,7 mΩ reduziert, während die Gate-Drain-Ladung (Qg) mit typ. 52 nC um 37 % niedriger ist. Dadurch verbessert sich die Gütezahl (FoM) RDS(ON) x Qg um 42 %.
Darüber hinaus erreicht der TPH2R70AR5 durch den Einsatz einer Lebensdauer-Kontrolltechnologie eine hohe Schaltgeschwindigkeit der Body-Diode. Im Vergleich zum TPH3R10AQM werden dadurch die Schaltgeschwindigkeit erhöht und die Dioden-Erholzeit sowie das Rauschen reduziert. Die Technologie zur Lebensdauersteuerung reduziert die Sperrverzögerungsladung (Qrr) auf typ. 55 nC und unterdrückt Spannungsspitzen. Das Verhältnis von RDS(ON) zu Qrr wird um 43 % verbessert.
Diese hervorragenden Eigenschaften von RDS(ON), Qg und Qrr reduzieren sowohl Leitungs- als auch Schaltverluste und tragen so zu einer höheren Effizienz in leistungsorientierten Anwendungen bei. Dies senkt die Betriebskosten und ermöglicht eine höhere Leistungsdichte. Das Bauteil ist im Advance (N) SOP-Gehäuse mit Abmessungen von nur 5,15 mm x 6,1 mm untergebracht und bietet eine ausgezeichnete Montagekompatibilität mit Industriestandards.
Der neue TPH2R70AR5 ist für einen maximalen Drainstrom (ID) von 190 A bei einer Umgebungstemperatur von 25 °C ausgelegt. Das Bauteil kann mit einer Kanaltemperatur (Tch) von bis zu 175 °C betrieben werden, wodurch der Bedarf an Kühlmaßnahmen reduziert wird.
Toshiba bietet außerdem Tools zur Unterstützung des Schaltungsdesigns: das G0 SPICE-Modell zur schnellen Überprüfung der Schaltungsfunktion und die hochpräzisen G2 SPICE-Modelle, die transiente Eigenschaften präzise reproduzieren. Sämtliche Support-Tools stehen ab sofort als kostenloser Download auf der Toshiba-Website zur Verfügung.
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- Kategorie: Sonstige Halbleiter
100-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFET basierend auf dem U-MOS11-H-Prozess
Die Toshiba Electronics Europe GmbH („Toshiba“) hat den TPH2R70AR5 auf den Markt gebracht, einen neuen N-Kanal-Leistungs-MOSFET mit einer Nennspannung von 100 V, der im hochmodernen U-MOS11-H-Verfahren gefertigt wird. Der MOSFET wird primär in Schaltnetzteilen (SMPS) eingesetzt, insbesondere in hocheffizienten DC/DC-Wandlern.
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