Dank Toshibas U-MOSX-H-Prozess erreichen die Produkte einen niedrigen Einschaltwiderstand (RDS(ON)). Dies ermöglicht es Entwicklern, die Effizienz ihrer 48-V-Systeme zu maximieren und somit die Leistung zu verbessern und die Lebensdauer der Fahrzeugbatterie zu verlängern. Der RDS(ON) des XPH2R608QB beträgt maximal 2,55 mΩ bei einer Gate-Last (Qg) von typ. 95 nC, der des XPH3R908QB maximal 3,9 mΩ bzw. typ. 63 nC; jeweils bei einer Gate-Source-Spannung (VGS) von maximal 10 V.

Darüber hinaus reduziert das SOP-WF-Gehäuse mit Kupferanschlussstruktur den Widerstand des MOSFET-Gehäuses, was die Effizienz steigert, die Wärmeableitung verbessert und die Systemzuverlässigkeit erhöht. Die benetzbare Kantenkonstruktion des Gehäuses verbessert die Sichtbarkeit der Lötstellen und erleichtert so die Überprüfung der Leiterplattenbestückung mittels automatisierter optischer Inspektion (AOI), wodurch die Gesamtzuverlässigkeit des Systems erhöht wird.

Modelle XPH2R608QB und XPH3R908QB eignen sich für den Einsatz in N-Kanal-Brushless-DC-Motortreiberschaltungen (BLDC) und nicht-isolierten DC/DC-Abwärtswandlern. Neben 28-V-Automobilsystemen umfassen weitere Anwendungsbereiche Motorantriebe, Schaltnetzteile und Lastschalter. Die 80-V-Serie U-MOSX-H für Automobilanwendungen beinhaltet auch den XPQR8308QB mit einem L-TOGL-Gehäuse zur hohen Wärmeableitung. Toshiba wird weiterhin MOSFET-Produkte für 48-V-Systeme entwickeln, um den vielfältigen Kundenbedürfnissen gerecht zu werden und verschiedene Automobilanwendungen zu unterstützen.