Als branchenweit erstes Gerät zur Behebung der bipolaren Degradation in 10kV SiC MOSFETs gewährleistet das Gerät eine zuverlässige Leistung, einschließlich der Verwendung der Body-Diode, die für Mittelspannungs-USV-Systeme, Windkraftanlagen und Halbleitertransformatoren unerlässlich ist.
Gestaltungsfreiheit: vereinfachte Systeme, geringere Betriebskosten
Die Verfügbarkeit der 10-kV-SiC-Technologie ermöglicht eine bisher nicht mögliche Designflexibilität, was zu einer exponentiellen Verbesserung der Systemgröße, des Gewichts, der Zuverlässigkeit und der Gesamtbetriebskosten führt.
Systemkostenreduzierung von ca. 30 %: Der Einsatz von 10 kV SiC ermöglicht einfachere Systemarchitekturen, die Konsolidierung von Mehrzellendesigns auf weniger Zellen und die Reduzierung von Drei-Level-Wechselrichtern auf eine Zwei-Level-Topologie
Leistungsdichteverbesserung um über 300 %: Die Erhöhung der Schaltfrequenzen von 600 Hz auf 10.000 Hz vereinfacht die Gate-Steuerung und die Erregungsschaltung und reduziert gleichzeitig die Anzahl der magnetischen Bauteile
Bis zu 50 % Reduzierung des thermischen Bedarfs auf Systemebene: Durch einen Wirkungsgrad von 99 % wird ein einfacheres und effizienteres Wärmemanagement im Vergleich zu IGBT-basierten Systemen ermöglicht
Nutzung des Potenzials von Impulsleistung: Ermöglichung von Anwendungen der nächsten Generation
Mit einer Anstiegszeit von unter 10 Nanosekunden ermöglicht die neue Technologie den Ersatz herkömmlicher mechanischer Funkenschalter – deren Leistungsfähigkeit durch Hochstrom- und Hochtemperatur-Lichtbögen, die Wartungsaufwand und Gesamtbetriebskosten erhöhen, mit der Zeit abnimmt – durch SiC-MOSFET-basierte Halbleiterschalter. Diese Halbleiterbauelemente eliminieren Lichtbögen, ermöglichen eine effiziente Energieübertragung und verbessern die Timinggenauigkeit der Impulsleistungsübertragung. Gleichzeitig reduzieren sie Systemgröße und -komplexität für leistungsstarke Impulsleistungsanwendungen wie Geothermie, Stromversorgung von KI-Rechenzentren, Halbleiterplasmaätzen und nachhaltige Düngemittelproduktion.
„Dieser Meilenstein ist der Höhepunkt von fast 30 Jahren herausragender Leistungen in den Bereichen Kristallzüchtung, Grobepitaxie und Hochspannungsbauelementfertigung – alles vertikal integriert“, sagte Dr. Cengiz Balkas, Chief Commercial Officer bei Wolfspeed. „Die Kommerzialisierung von 10-kV-MOSFETs ermöglicht es unseren Kunden, die bereits Prototypen bei dieser Spannung entwickelt haben, ihre Designs in die Serienproduktion zu überführen und so die Markteinführungszeit zu verkürzen. Wir läuten nicht nur eine neue Ära für Hochspannungs-SiC ein, sondern machen sie Realität.“.
