Die neue TBD62xxxA-Serie ist der Nachfolger der Bipolartransistor-Array-Serie TD62xxxA, die in Anwendungen wie Motoren, Relais und LED-Treibern weit verbreitet ist. Die neue TBD62xxxA-Serie ist funktional und pinkompatibel zur TD62xxxA-Serie.
Durch die Verwendung eines DMOS-FET-Ausgangstreibers erfüllen die neuen Produkte die Anforderungen an hohe Effizienz und geringe Verlustleistung, da DMOS-FETs keinen Basisstrom benötigen. Der Einschaltwiderstand bleibt niedrig, und die Ausgangssperrung ist für hohe Spannungen und Ströme mit einer maximalen Nennleistung von 50 V/0,5 A ausgelegt.
Dadurch reduziert die TBD62xxxA-Serie die Verlustleistung im Vergleich zur vorherigen Bipolartransistor-Array-Serie TD62xxxA um 40 % (Ta = 25 °C und I<sub>OUT</sub> = 200 mA).
Toshiba hat bei der Entwicklung der neuen Serie die BICD-Technologie eingesetzt, da diese die Integration von Bipolar-, CMOS- und DMOS-Bauelementen ermöglicht. Die neue Generation umfasst 24 Produkte, die verschiedene Standard-Eingangsspannungen (VIN(ON)) erfüllen.
Die Serie TBD62003A benötigt mindestens 14 V VIN(ON) und unterstützt PMOS-Eingangssignale von 14 V bis 25 V. Die Serie TBD62503A bietet mindestens 2,5 V VIN(ON) und unterstützt TTL- sowie 3-V-/5-V-CMOS-Eingangssignale. Die Serie TBD62004A bietet mindestens 7,0 V VIN(ON) für 6-V- bis 15-V-PMOS- und 5-V-CMOS-Eingangssignale.
Die Bauteile werden in verschiedenen Gehäuseformen erhältlich sein, darunter DIP, SOP/SOL für die Oberflächenmontage und kleine SSOP-Gehäuse (0,65 mm Rastermaß) für platzsparende Anwendungen. Die Serienproduktion der gesamten Produktlinie soll in der zweiten Jahreshälfte 2015 beginnen.
