Mit nur drei Vierteln der Breite und Länge reduziert es den Platzbedarf im Vergleich zum vorherigen TO-3P (L)-Gehäuse. Dies bietet Produktentwicklern mehr Flexibilität bei gleichbleibender Leistung von 150 W (Pc).
Der Transistor 2SA1943N hat ein maximales Kollektor-Emitter-Spannungsverhältnis (VCEO) von -230 V und ein kontinuierliches Kollektorstromverhältnis (IC) von -15 A, während der 2SC5200N ein maximales VCEO von 230 V und ein IC von 15 A aufweist.
Der Transistor 2SA1943N bietet eine minimale Gleichstromverstärkung von hFE(1) = 80 (VCE = -5 V und IC = -1 A) und hFE(2) = 35 (VCE = -5 V und IC = -7 A), während der 2SC5200N hFE(1) = 80 (VCE = 5 V und IC = 1 A) und hFE(2) = 35 (VCE = 5 V und IC = 7 A) aufweist. Ein weiterer Vorteil ist die hohe Linearität von hFE und VBE. Beide Bauelemente erreichen eine typische Grenzfrequenz (ft) von 30 MHz.
Die neuen Bauelemente sind in einem neuen TO-3P (N)-Gehäuse untergebracht, das nur 15,9 mm x 40,5 mm x 4,8 mm misst.
