Zu den Hauptanwendungen dieser Module mit hoher Leistungsdichte zählen industrielle Antriebe und Motorsteuerungen, Wechselrichter für Anlagen zur Erzeugung erneuerbarer Energien sowie Umrichter/Wechselrichter für die elektrische Bahninfrastruktur.
Ein Schlüsselelement für die Leistungsparameter der neuen SiC-MOSFET-Module von Toshiba ist die firmeneigene Gehäusetechnologie. Die in diesen Modulen verwendeten iXPLV-Gehäuse (Intelligent Flexible Package Low Voltage) basieren auf einer fortschrittlichen, silbergesinterten internen Verbindungstechnologie, die einen hohen Wirkungsgrad ermöglicht. Sie unterstützen Kanaltemperaturen bis zu 175 °C und gewährleisten eine Isolation bis zu 6000 V<sub>RMS</sub>. Die Schaltverluste im leitenden und sperrenden Zustand liegen bei 250 mJ bzw. 240 mJ, während die typische parasitäre Induktivität lediglich 12 nH beträgt.
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