Diese JFETs sind für 1200 V ausgelegt und weisen einen maximalen Durchlasswiderstand von 340 mΩ (typischer RDSon-Wert: 270 mΩ) auf. Dank ihres positiven Temperaturkoeffizienten ermöglichen sie extrem schnelles Parallelschalten ohne Reststrom bei 150 °C. Zu den wichtigsten Anwendungsbereichen zählen Photovoltaik-Mikrowechselrichter, Schaltnetzteile und USV-Systeme, Motorsteuerungen und Induktionserwärmung.
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- Kategorie: Integrierte Schaltungen
SiC-JFET mit minimalen Schaltverlusten
SemiSouth Laboratories, Inc., ein führender Hersteller von Siliziumkarbid (SiC)-Transistortechnologie für Hochleistungs-, Hocheffizienz-, Energiemanagement- und Umwandlungsanwendungen, hat den SJDP120R340 auf den Markt gebracht, einen SiC-Trench-JFET, der im Vergleich zu Silizium-MOSFETs höhere Schaltgeschwindigkeiten und wesentlich geringere Verluste ermöglicht.
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