Diese JFETs sind für 1200 V ausgelegt und weisen einen maximalen Durchlasswiderstand von 340 mΩ (typischer RDSon-Wert: 270 mΩ) auf. Dank ihres positiven Temperaturkoeffizienten ermöglichen sie extrem schnelles Parallelschalten ohne Reststrom bei 150 °C. Zu den wichtigsten Anwendungsbereichen zählen Photovoltaik-Mikrowechselrichter, Schaltnetzteile und USV-Systeme, Motorsteuerungen und Induktionserwärmung.
Analog Devices' A²B 2.0: Automotive-Audio mit Ethernet, erhöhter Bandbreite und geringer Latenz
Analog Devices, Inc. hat bekannt gegeben, dass sein A²B 2.0 (Automotive Audio Bus) nun serienreif ist. Als Weiterentwicklung der A²B-Technologie von ADI ist A²B 2.0 darauf ausgelegt, Erstausrüster (OEMs) und Tier-1-Zulieferer in der Automobilindustrie zu unterstützen….
