Sie eignen sich für eine Vielzahl anspruchsvoller Anwendungen, wie z. B. Server in Rechenzentren, Schaltnetzteile (SMPS) für Industrieanlagen und Netzfilter für Photovoltaikanlagen.
Die in diesen neuen Produkten verwendete DTMOSVI 600 V-Serie zeichnet sich durch ein optimiertes Gate-Design und einen optimierten Fertigungsprozess aus. Diese Optimierung führte zu einer Reduzierung des Drain-Source-Widerstands (RDS(ON)) pro Flächeneinheit um ca. 13 %. Darüber hinaus wurde die entscheidende Kennzahl (FOM) für die MOSFET-Performance, RDS(ON) × Gate-Drain-Ladung (Qgd), im Vergleich zu den Produkten der vorherigen Generation der DTMOSIV-H-Serie von Toshiba mit derselben Drain-Source-Spannung (VDS) von 600 V um ca. 52 % reduziert. Beispielsweise weist der TK024Z60Z1 einen RDS(ON) von 20 mΩ und eine Qgd von 37 nC auf. Dies führt zu einem besseren Verhältnis zwischen Leitungs- und Schaltverlusten und trägt somit direkt zur hohen Effizienz von Schaltnetzteilen bei.
Die neuen Produkte verfügen über ein vierpoliges TO-247-4L(X)-Gehäuse mit einem separaten Signalquellenanschluss für die Gate-Ansteuerung. Diese Designverbesserung reduziert die Auswirkungen der Source-Induktivität im Gehäuse – ein häufiges Problem bei herkömmlichen dreipoligen Gehäusen – deutlich. Bei dreipoligen Gehäusen erzeugt die Source-Induktivität eine Gegen-EMK, die die effektive Gate-Steuerspannung verringert und somit die Schaltgeschwindigkeit des MOSFETs verlangsamt. Im Gegensatz dazu ist der Signalquellenanschluss beim vierpoligen Gehäuse nahe am FET-Chip positioniert, wodurch dieser Effekt minimiert wird und die angelegte Spannung zwischen Gate und Source annähernd der Gate-Steuerspannung entspricht. Diese Verbesserung erhöht die Schaltgeschwindigkeit und optimiert das Hochgeschwindigkeitsschaltverhalten, was zu der hohen Effizienz beiträgt, die in Anwendungen wie Servern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Photovoltaik-Wechselrichtern erforderlich ist. Es ist jedoch wichtig zu beachten, dass das TO-247-4L(X)-Gehäuse im Vergleich zum bisherigen vierpoligen TO-247-4L-Gehäuse von Toshiba ein anderes Aussehen und andere Abmessungen aufweist. Grund dafür ist der Hohlraum zwischen Drain- und Source-Anschluss, der die Kriechstrecke vergrößert.
Toshiba unterstützt Schaltungsentwickler weiterhin mit einer Reihe von Tools, darunter das G0-SPICE-Modell zur schnellen Funktionsprüfung von Schaltungen und die hochpräzisen G2-SPICE-Modelle, die transiente Eigenschaften genau simulieren.
Toshiba engagiert sich für den weiteren Ausbau seiner DTMOSVI-600-V-Produktreihe und trägt so zur kontinuierlichen Verbesserung der Energieeffizienz elektronischer Geräte bei.
