Das Bauteil bietet eine typische Leistungsverstärkung von 18 dB bei 2675 MHz und einen Wirkungsgrad von 54,1 %. Der A3G26D055N zeichnet sich zudem durch hohe Eingangsimpedanzen und eine stark linearisierte Fehlervektormagnitude (EVM) aus und ist damit optimal für Massive-MIMO-Aktivantennensysteme in 5G-Basisstationen geeignet. Anwendungsbereiche für den NXP-Transistor A3G26D055N sind unter anderem 5G Massive MIMO, W-CDMA und LTE, Makrozellen-Basisstationen und -Controller, die Endstufe von Small Cells, aktive Antennen und allgemeine Telekommunikation.

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