GTAT wurde 1994 gegründet und verfügt über Expertise im Kristallwachstum, insbesondere von SiC. SiC ist ein Schlüsselmaterial für Halbleiter der nächsten Generation und bietet technische Vorteile bei SiC-Leistungsschaltern sowie eine signifikante Verbesserung der Systemeffizienz in Elektrofahrzeugen (EVs), EV-Ladeeinrichtungen und der Energieinfrastruktur.