Die im Fahrzeug integrierten Hochleistungskomponenten übernehmen wichtige leistungselektronische Funktionen und sind auf hohe Energieeffizienz und zuverlässigen Betrieb unter den anspruchsvollen Bedingungen der Automobilindustrie ausgelegt. Dadurch leisten sie einen wesentlichen Beitrag zur Optimierung von Reichweite, Ladeleistung und Gesamtenergieeffizienz von Elektrofahrzeugen.
„Die Integration unserer SiC-MOSFETs in die sechste Generation der BMW Elektrofahrzeuge, besser bekannt als Neue Klasse, unterstreicht die technologische Kompetenz von ROHM im Bereich der automobilen Leistungselektronik“, sagt Wolfram Harnack, Präsident der ROHM Semiconductor GmbH. „Wir sind stolz darauf, gemeinsam mit der BMW Group durch unsere SiC-Technologie zur Weiterentwicklung der Elektromobilität der nächsten Generation beizutragen. Dies bekräftigt unser langfristiges Engagement, unsere Automobilkunden mit qualitativ hochwertigen und äußerst zuverlässigen Produkten zu unterstützen.“.
ROHM verfügt über umfangreiche Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von Leistungshalbleitern für Automobilanwendungen und arbeitet eng mit Fahrzeugherstellern und Tier-1-Zulieferern weltweit zusammen, um die Elektrifizierung und Dekarbonisierung der Mobilität aktiv voranzutreiben.
