Semiconduttori
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Mouser offre ora i MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 150 V di Infineon Technologies. Caratterizzati da basse perdite di commutazione, i MOSFET da 150 V offrono efficienza, densità di potenza e affidabilità eccezionali per alimentatori per server (PSU), ottimizzatori solari, caricabatterie USB ad alta potenza e infrastrutture di telecomunicazione.
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Nexperia ha annunciato l'aggiunta di due diodi Schottky al carburo di silicio (SiC) da 1200 V e 20 A al suo portafoglio in continua espansione di componenti elettronici di potenza. I modelli PSC20120J e PSC20120L sono progettati per soddisfare la domanda di raddrizzatori a bassissima perdita di potenza che consentono una conversione di potenza ad alta efficienza nelle applicazioni industriali.
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- Categoria: Design
Nell'ambito dei sei livelli di automazione stabiliti dalla SAE (Society of Automotive Engineers), la maggior parte dei produttori di veicoli implementa attualmente funzionalità di automazione parziale della guida di Livello 1 (discreta) e Livello 2 (combinata). I produttori di tutto il mondo stanno lavorando per passare al Livello 3 o addirittura al Livello 4 (automazione della guida condizionata), un significativo passo avanti.
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- Categoria: Altri semiconduttori
Gli IGBT sono da sempre un punto fermo nell'industria, combinando i vantaggi dell'elevata potenza con meccanismi di pilotaggio semplici. La nuova tecnologia IGBT7 si distingue nettamente per le sue caratteristiche, come la minore tensione diretta, le maggiori correnti nominali, la capacità di sovraccarico a 175 °C, il controllo dv/dt migliorato e la maggiore capacità di ricircolo. Se abbinata a un innovativo package a bassa induttanza, la tecnologia IGBT7 offre facilità d'uso, maggiore robustezza, densità di potenza più elevate ed efficienza migliorata, riducendo al contempo i costi di sistema.
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- Categoria: Altri semiconduttori
ROHM ha annunciato il rilascio di nuovi modelli SPICE di Livello 3 (L3) che offrono una convergenza notevolmente migliorata e prestazioni di simulazione più rapide.
Poiché le perdite nei semiconduttori di potenza hanno un impatto significativo sull'efficienza complessiva del sistema, l'accuratezza della simulazione durante la fase di progettazione è fondamentale. I precedenti modelli SPICE di Livello 1 (L1) di ROHM per i MOSFET in SiC rispondevano a questa esigenza riproducendo con precisione le caratteristiche chiave del dispositivo.
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- Categoria: Microcontrollori
Renesas Electronics Corporation ha presentato la famiglia di microcontrollori (MCU) RA2T1, basata sul processore Arm® Cortex®-M23 e ottimizzata per i sistemi di controllo motori. I dispositivi RA2T1 sono specificamente progettati per applicazioni con un singolo motore, come ventilatori, utensili elettrici, aspirapolvere, frigoriferi, stampanti, asciugacapelli e molti altri.
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- Categoria: Design
Il Microchip MTCH2120 inaugura un'innovativa famiglia di dispositivi touch pronti all'uso basati su I2C, che semplifica il lavoro degli ingegneri che progettano applicazioni touch flessibili e ad alte prestazioni, senza richiedere competenze di programmazione. L'MTCH2120 offre accesso a un ecosistema di progettazione unificato, facilitando transizioni fluide tra altre soluzioni pronte all'uso o persino soluzioni basate su microcontrollori, il tutto senza la complessità della programmazione.
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- Categoria: Microcontrollori
Mecter SL è lieta di annunciare il lancio, da parte della sua azienda rappresentata Holtek, del nuovo HT32L62141, un microcontrollore (MCU) a 32 bit progettato per applicazioni di rilevamento fumo che richiedono elevata affidabilità e lunga durata della batteria. Questo dispositivo integra un core Arm® Cortex®-M0+, scelto per il suo equilibrio tra prestazioni e consumo energetico.
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- Categoria: Microcontrollori
Mecter SL annuncia il lancio, da parte della sua società rappresentata GigaDevice, della nuova serie GD32C231 di microcontrollori (MCU) entry-level, ampliando così la propria linea di prodotti basata sul core Arm® Cortex®-M23. GigaDevice posiziona la serie GD32C231 come una soluzione "entry-level ad alte prestazioni".
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- Categoria: Circuiti integrati
Renesas Electronics Corporation ha presentato tre nuovi transistor GaN FET ad alta tensione da 650 V per data center AI e sistemi di alimentazione per server, tra cui la nuova architettura HVDC da 800 V, la ricarica per la mobilità elettrica, i dispositivi di backup a batteria UPS, i sistemi di accumulo di energia a batteria e gli inverter solari. Progettati per applicazioni multi-kilowatt, questi dispositivi di quarta generazione (Gen IV Plus) combinano la tecnologia GaN ad alta efficienza con un ingresso di controllo del gate compatibile con il silicio, riducendo le perdite di potenza di commutazione pur mantenendo la semplicità operativa dei transistor FET al silicio.
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Renesas Electronics Corporation ha presentato il cluster di microcontrollori (MCU) RA8P1, progettato per applicazioni di intelligenza artificiale (IA) e apprendimento automatico (ML), nonché per analisi in tempo reale. I nuovi MCU definiscono un nuovo standard di prestazioni combinando i core CPU Arm® Cortex®-M85 da 1 GHz e Cortex-M33 da 250 MHz con l'unità di elaborazione neurale (NPU) Arm Ethos™-U55. Questa combinazione offre le massime prestazioni della CPU, superando i 7300 CoreMark, e prestazioni IA di 256 GOPS a 500 MHz.
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ROHM ha lanciato un MOSFET di potenza da 100 V, il RY7P250BM, ottimizzato per circuiti hot-swap in sistemi di alimentazione a 48 V utilizzati nei server AI e negli alimentatori industriali che richiedono protezione della batteria. Con il rapido progresso della tecnologia AI, i data center si trovano ad affrontare esigenze di elaborazione senza precedenti e il consumo energetico dei server continua ad aumentare di anno in anno.
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