L'elevata tensione di blocco consente agli ingegneri di potenza di sostituire i MOSFET al silicio convenzionali con i nuovi MOSFET SiC, offrendo maggiore efficienza, un driver più semplice e una minore dissipazione di calore, riducendo così i costi complessivi del sistema.
Il nuovo package SMD è specificamente progettato per i MOSFET SiC ad alta tensione, occupando una piccola area e presentando una generosa distanza di dispersione drain-source di 7 mm. Ciò è reso possibile dalle dimensioni ridotte del semiconduttore e dall'elevata capacità di blocco della tecnologia planare Wolfspeed™ SiC MOSFET. Il nuovo package include anche un pin collegato al source del MOSFET, che contribuisce a ridurre il rumore di gate e a fornire segnali più puliti.
"Il nostro nuovo MOSFET SiC da 1700 V offre agli ingegneri di elettronica di potenza significativi vantaggi di progettazione nelle topologie flyback", spiega Edgar Ayerbe, Marketing Manager Wolfspeed Power MOSFET. "Grazie alle basse perdite di commutazione nel carburo di silicio, i dispositivi operano a temperature molto più basse nel semiconduttore. Ciò consente ai clienti di montare i dispositivi direttamente sul PCB senza la necessità di dissipatori di calore aggiuntivi. Questo riduce i costi di produzione e migliora l'affidabilità del sistema. Il risultato è un alimentatore più piccolo e leggero, con un costo di sistema inferiore rispetto a quanto possibile con i dispositivi al silicio convenzionali."
L'applicazione del nuovo MOSFET SiC da 1700 V è destinata principalmente agli alimentatori ausiliari all'interno di inverter ad alta potenza, come inverter per impianti solari, convertitori di frequenza per motori, apparecchiature UPS, convertitori di potenza per turbine eoliche e sistemi di trazione. Questi sistemi in genere richiedono la conversione della tensione del bus in una bassa tensione CC per alimentare la logica di sistema, i circuiti di protezione, i display, l'interfaccia di rete e le ventole di raffreddamento. Possono essere utilizzati anche negli alimentatori per contatori di energia elettrica trifase o in qualsiasi applicazione in cui il convertitore richieda un'elevata tensione di blocco e una bassa capacità.
Il nuovo MOSFET SiC da 17000 V, denominato C2M1000170J, presenta una capacità di valanga superiore a 1800 V e una resistenza Rdson di 1 Ω. Queste caratteristiche garantiscono prestazioni affidabili nei circuiti di conversione flyback, anche in ambienti elettricamente rumorosi come gli inverter ad alta potenza. Il MOSFET SiC da 1700 V semplifica la progettazione della topologia flyback grazie a un semplice interruttore di tensione di ingresso da 200 V a 1000 V, riducendo la complessità del controllo del pilotaggio e riducendo o eliminando i condensatori di snubber necessari nei dispositivi al silicio.
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